[发明专利]基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器

权利要求书

1.基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器，其特征在于，所述双波段等离激元传感器由在工作波段对光波透明的基底、在基底上平铺的单层石墨烯和均匀分布的非对称金纳米天线阵列及非对称金纳米天线阵列上方的介质层构成；

所述双波段等离激元传感器的等效外界环境有效折射率范围为1～2；

所述非对称金纳米天线阵列的基本结构单元是金纳米条对二聚体，每个金纳米条对二聚体由两个厚度相同非对称的金纳米条平行排列而成；

所述金纳米条对二聚体结构尺寸均小于工作波段的光波波长；

所述透明基底的材料是玻璃；

所述非对称金纳米天线阵列周期范围为200～3000nm；

所述金纳米条的长度范围为50～3000nm,宽度范围为50nm～1500nm,厚度范围为20nm～200nm；

所述金纳米条对二聚体的非对称性在于两个金纳米条的结构尺寸不完全相同，即两个金纳米条的结构尺寸满足如下三个条件之一：条件一所述两个非对称金纳米条的长度不相同，条件二所述两个非对称金纳米条的宽度不相同，条件三所述两个非对称金纳米条结构尺寸同时满足长度不相同和宽度不相同；

所述两个金纳米条之间的距离范围为50nm～1500nm；

所述平铺的单层石墨烯费米能级范围为0.2～0.7。

2.如权利要求1所述的基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器，其特征在于，所述非对称金纳米天线阵列的周期为350nm，两个金纳米条的长度分别为250nm、200nm，金纳米条的宽度为50nm，两个金纳米条之间的距离为100nm，金纳米条厚度为50nm，非对称金纳米天线阵列上方的介质层的宽度是10nm宽。