[发明专利]显示器结构有效
| 申请号： | 201910826315.4 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110707129B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 李文杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示器 结构 | ||
1.一种显示器结构，其特征在于：所述显示器结构包含：
一透明阳极电极层；
一反射层，设置于所述透明阳极电极层上；
一光致变色材料层，设置于所述反射层上；
一透明阴极电极层，设置于所述光致变色材料层上；
一有机发光层，设置于所述光致变色材料层及所述透明阴极电极层之间；及
一封装层覆盖所述透明阴极电极层，
其中所述光致变色材料层设置在所述有机发光层及所述反射层之间，及其中当所述显示器结构于一外部环境光下，所述外部环境光通过所述反射层反射后，经由变色的所述光致变色材料层吸收。
2.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述光致变色材料层为一钠铝硼酸盐玻璃层，包含有卤化银及氧化铜。
3.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述光致变色材料层包含依序设置的一氧化硅层、一卤化银层及一氧化铜层。
4.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述反射层为一银反射层，具有一厚度为50至1000纳米。
5.一种显示器结构，其特征在于：所述显示器结构包含：
一第一电极层；
一反射层，设置于所述第一电极层上；
一光致变色材料层，设置于所述反射层上；
一第二电极层，设置于所述光致变色材料层上；及
一有机发光层，设置于所述光致变色材料层及所述第二电极层之间；及一封装层覆盖所述第二电极层，
其中所述光致变色材料层设置在所述有机发光层及所述反射层之间，及其中当所述显示器结构于一外部环境光下，所述外部环境光通过所述反射层反射后，经由变色的所述光致变色材料层吸收。
6.如权利要求5所述的显示器结构，其特征在于：所述光致变色材料层为一钠铝硼酸盐玻璃层，包含有卤化银及氧化铜。
7.如权利要求5所述的显示器结构，其特征在于：所述光致变色材料层包含依序设置的一氧化硅层、一卤化银层及一氧化铜层。
8.如权利要求5所述的显示器结构，其特征在于：所述反射层为一银反射层，具有一厚度为50至1000纳米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
