[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 201910826546.5 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110690226B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 龚吉祥 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,具有一衬底基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
一有源层,设置在所述衬底基板上;
一第一栅极绝缘层,设置于所述有源层上并覆盖所述有源层及所述衬底基板;
一第一栅极,设置于所述第一栅极绝缘层上;
一第一层间介电层,设置于所述第一栅极上并覆盖所述第一栅极及所述第一栅极绝缘层;
一第二层间介电层,设置于所述第一层间介电层上并覆盖所述第一层间介电层,所述第二层间介电 层材料为有机材料;
一源极及漏极,设置于所述第二层间介电层上并通过第一过孔与所述有源层连接;
一钝化层,设置于所述源极及漏极上并覆盖于所述源极及漏极和所述第二层间介电层,所述钝化层材料为无机材料;
一平坦层,设置于所述钝化层并覆盖所述钝化层;
一辅助电极,所述辅助电极设置于所述平坦层上,并通过第二过孔与所述漏极电连接;以及,
至少一第一电极,所述第一电极设置于所述平坦层上并与所述辅助电极电连接。
2.根据权利要求1所述阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括一阻隔层,所述阻隔层设置在所述衬底基板上并覆盖所述衬底基板。
3.根据权利要求2所述阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括一缓冲层,所述缓冲层设置在所述阻隔层与所述有源层之间并覆盖所述阻隔层。
4.根据权利要求2所述阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
一第二栅极绝缘层,设置于所述第一栅极上并覆盖所述第一栅极及所述第一栅极绝缘层;以及,
一第二栅极,设置于所述第二栅极绝缘层上。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有显示区和围绕所述显示区的非显示区,其中,在所述显示区内设置至少一第一深孔,所述第一深孔贯穿所述第一层间介电层并延伸至所述阻隔层,所述第二层间介电层填充所述第一深孔;以及,
在所述非显示区内设置至少一第二深孔,所述第二深孔贯穿所述第一层间介电层并延伸至所述衬底基板,所述第二层间介电层填充所述第二深孔。
6.根据权利要求1所述阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括一像素定义层,所述像素定义层设置在所述第一电极上并覆盖所述第一电极及所述平坦层,并且所述像素定义层具有至少一开口,每一所述开口暴露一所述第一电极。
7.根据权利要求6所述阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括至少一隔垫物,所述隔垫物设置于所述像素定义层上。
8.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的