[发明专利]一种利用层间限域策略制备二维金属氧化物纳米片的方法有效
申请号: | 201910827673.7 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110577239B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 王维雪;岳仪凡;陈奕倩;陈哲;王祥科 | 申请(专利权)人: | 华北电力大学;国家电网有限公司 |
主分类号: | C01G23/053 | 分类号: | C01G23/053;C01G51/04;C01G37/02;C01G45/02;C01G19/02;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 陈波 |
地址: | 102206 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 层间限域 策略 制备 二维 金属 氧化物 纳米 方法 | ||
1.一种利用层间限域策略制备二维金属氧化物纳米片的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)硅酸四乙酯与四甲基氢氧化铵经水热反应制得模板RUB-15;
(2)混合金属卤化盐前驱体与步骤(1)所述模板RUB-15,然后研磨均匀得到前体混合物,煅烧所述前体混合物,得到混合物;
(3)刻蚀步骤(2)所述混合物中模板RUB-15,得到所述二维金属氧化物纳米片;
所述步骤(2)中金属卤化盐前驱体与模板RUB-15的质量比为0.1:1~10:1;
所述步骤(2)中金属卤化盐前驱体为TiCl4、CoCl2•6H2O、CrCl3•6H2O、MnCl2•4H2O或SnCl2•2H2O;
所述步骤(2)中煅烧在空气、氧气、氩气、氮气或氦气气氛中进行,煅烧温度为300℃~600℃,升温速率为0.1℃/min~10℃/min,保温时间为1h~10h;
所述二维金属氧化物纳米片为具有二维形貌的薄片TiO2、Co3O4、Cr2O3、Mn2O3、SnO2。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)中硅酸四乙酯与四甲基氢氧化铵的摩尔比为1:1,水热反应温度为140℃,反应时间为14天。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(1)得到的模板RUB-15具有1.4nm的固定层间距。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(3)中,利用氢氧化钠溶液刻蚀步骤(2)所述混合物中模板RUB-15,所述氢氧化钠溶液浓度为1mol/L~5mol/L。
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