[发明专利]一种半导体处理设备及腔室间传送口结构

权利要求书

1.一种腔室间传送口结构，用于连接半导体处理设备中的处理腔和辅助腔，实现晶圆在腔室之间的传输，其特征在于，所述的腔室间传送口结构包含：

衬垫组件，其分别穿过处理腔和与处理腔相邻的辅助腔的腔壁，形成传送口区域；

阀门，其设置在辅助腔一侧，用于密封衬垫组件；

所述的衬垫组件和阀门上都具有抗腐蚀涂层，防止衬垫组件和阀门受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

2.如权利要求1所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的腔室间传送口结构还包含：遮挡片，其设置在处理腔一侧，该遮挡片用于遮挡传送口区域，实现传送口区域与处理腔之间的隔离，所述的遮挡片上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

3.如权利要求2所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的遮挡片通过遮挡片驱动机构实现竖直方向的运动，所述的遮挡片驱动机构上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片驱动机构受到处理腔内部的等离子体腐蚀。

4.如权利要求1所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的阀门包含阀门主体和嵌入设置在阀门主体上的密封圈，抗腐蚀涂层涂覆在阀门主体上设置有密封圈的一侧，并位于密封圈内部区域，用于防止阀门与处理腔内部的等离子体直接接触而受到腐蚀。

5.如权利要求4所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的阀门通过阀门驱动机构实现水平方向和竖直方向的运动。

6.如权利要求1-4中任意一项所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的抗腐蚀涂层采用特氟龙涂层，或者高分子聚合物涂层，或者碳化硅涂层，或者稀土氧化物涂层，或者稀土氟化物涂层。

7.如权利要求1-4中任意一项所述的腔室间传送口结构，其特征在于，所述的抗腐蚀涂层的厚度为5um-30um。

8.如权利要求1-4中任意一项所述的腔室间传送口结构，其特征在于，采用沉积方式或液体流挂方式形成所述的抗腐蚀涂层。

9.一种半导体处理设备，其特征在于，所述的半导体处理设备包含至少一个处理腔和至少一个辅助腔，所述的处理腔用于对晶圆进行半导体制程处理，所述的辅助腔用于传输晶圆，所述的处理腔和辅助腔通过如权利要求1-8中任意一项所述的腔室间传送口结构连接。

10.如权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述的处理腔是刻蚀处理腔，或者是沉积处理腔，或者是灰化处理腔。

11.一种半导体处理设备的清洁方法，其特征在于，所述半导体处理设备包含至少一个处理腔和至少一个辅助腔，所述处理腔和所述辅助腔通过腔室间传送口结构连接，以在腔室之间传输晶圆，所述腔室间传送口结构包含：

衬垫组件，其分别穿过处理腔和与处理腔相邻的辅助腔的腔壁，形成传送口区域；

阀门，其设置在辅助腔一侧，用于密封衬垫组件；

所述的衬垫组件和阀门上都具有抗腐蚀涂层，防止衬垫组件和阀门受到处理腔内部的等离子体腐蚀；

遮挡片，其设置在处理腔一侧，该遮挡片用于遮挡传送口区域，实现传送口区域与处理腔之间的隔离，所述的遮挡片上具有抗腐蚀涂层，防止遮挡片受到处理腔内部的等离子体腐蚀；所述清洁方法包括：

移动遮挡片使得处理腔与传送口区域连通；

关闭阀门以密封衬垫组件；

使得等离子体进入传送口区域以清洁密封衬垫的内表面以及面向传送口区域一侧的阀门表面。