[发明专利]Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法

权利要求书

1.一种Ti-Ga-Sb相变材料，其特征在于，所述Ti-Ga-Sb相变材料为Ti，Sb，Ga元素组成的化学通式为Ti_xGa_ySb_100-x-y的材料；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y＜60。

2.根据权利要求1所述的Ti-Ga-Sb相变材料，其中，x，y值的取值范围为：10≤x≤y≤30。

3.一种相变存储器，其利用权利要求1或2所述的Ti-Ga-Sb相变材料作为相变存储材料，其特征在于，

所述Ti-Ga-Sb相变材料在所述相变存储器中为厚度介于20～200nm之间的相变薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的相变存储器，其中，所述相变薄膜材料为Ti₂₀Ga₃₀Sb₅₀相变薄膜材料。

5.根据权利要求1或2所述的Ti-Ga-Sb相变材料，其中，所述Ti-Ga-Sb相变材料可采用磁控共溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法或者原子层沉积法制备而成。

6.一种Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法，用于权利要求3或4所述相变存储器中相变薄膜材料的制备，其采用磁控共溅射法制备，步骤如下，

S1：根据所述相变薄膜材料的尺寸选取相应尺寸的溅射基片，并对其进行清洁处理；

S2：分别准备Ga-Sb合金靶和Ti单质靶，并对应设置两靶材与所述溅射基片的位置；

S3：采用高纯惰性气体作为溅射气体，并调节所述溅射气体的流量和溅射气压；

S4：分别设定所述Ga-Sb合金靶和所述Ti单质靶的溅射电源功率，采用双靶共溅射法制备所述相变薄膜材料，并通过控制溅射时间来制得不同厚度的所述相变薄膜材料。

7.根据权利要求6所述的Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法，其中，所述Ga-Sb合金靶为Ga₂₀Sb₈₀合金靶、Ga₃₀Sb₇₀合金靶或者Ga₄₀Sb₆₀合金靶。

8.根据权利要求6或7所述的Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法，其中，在步骤S4中，所述Ga-Sb合金靶的溅射电源功率为30～40W，所述Ti单质靶的溅射电源功率为3～10W。

9.根据权利要求6或7所述的Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法，其中，步骤S4中的溅射时间为2～15min。

10.根据权利要求6或7所述的Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法，其中，在步骤S4开始前，还进行了所述Ga-Sb合金靶和所述Ti单质靶的表面清洁过程，方法如下：

将空基托旋转到对正所述Ga-Sb合金靶和所述Ti单质靶的靶位，打开两靶位的挡板，进行预溅射5～10min。