[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201910828995.3 申请日: 2019-09-03
公开(公告)号: CN110534056B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 曾柏翔;谢嘉定;刘品妙;洪仕馨 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;H01L25/16
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 王宇航;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,该像素结构设置于一基板上,包括:

一数据线以及一第一扫描线,交叉设置;

一第一晶体管,具有一第一端、一控制端以及一第二端,其中该第一晶体管的该第一端电性耦接至该数据线,该第一晶体管的该控制端电性耦接至该第一扫描线;

一第二晶体管,具有一第一端、一控制端以及一第二端;

一第一电源线,电性耦接至该第二晶体管的该第一端;

多个发光二极管元件,其中每一该发光二极管元件具有一第一电极以及一第二电极;

一第二电源线,电性耦接至所述多个发光二极管元件的多个所述第一电极;

一连接图案,电性耦接于该第一晶体管的该第二端与该第二晶体管的该控制端之间;

一第一绝缘层,设置于该连接图案上方;以及

一第一导电图案,设置于该第一绝缘层上方,且电性耦接于所述多个发光二极管元件的多个所述第二电极之间,其中所述多个发光二极管元件的多个所述第二电极通过该第一导电图案电性耦接至该第二晶体管的该第二端,且该连接图案与该第一导电图案在垂直于该基板的一垂直投影方向上重叠。

2.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一导电图案的一垂直投影位于所述多个发光二极管元件的多个所述第二电极的多个垂直投影之间。

3.如权利要求1所述的像素结构,其中该连接图案的一垂直投影位于所述多个发光二极管元件的多个垂直投影之间。

4.如权利要求1所述的像素结构,其中该连接图案的一垂直投影在该第一导电图案的一垂直投影以内。

5.如权利要求1所述的像素结构,其中该连接图案的一垂直投影的面积为A1,该第一导电图案的一垂直投影的面积为A2,而0.2≤A1/A2<0.75。

6.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一绝缘层具有重叠于该第二晶体管的该第二端的一通孔,该像素结构还包括:

一第一转接图案,设置于该第一绝缘层上,通过该第一绝缘层的该通孔电性耦接至该第二晶体管的该第二端,且电性耦接于该第一导电图案与该第二晶体管的该第二端之间;

其中该通孔的至少一部分与该连接图案在该垂直投影方向上重叠。

7.如权利要求6所述的像素结构,还包括:

一第二绝缘层,设置于该第一转接图案上,且具有重叠于该第一转接图案的一通孔;

一第二转接图案,设置于该第二绝缘层上,且位于该第一导电图案与该第二绝缘层之间;

其中该第二转接图案通过该第二绝缘层的该通孔电性耦接至该第一转接图案,且电性耦接于该第一导电图案与该第一转接图案之间;

该第二绝缘层的该通孔的至少一部分与该连接图案在该垂直投影方向上重叠。

8.如权利要求7所述的像素结构,还包括:

一第二扫描线,与该数据线交叉设置;以及

一第三晶体管,具有一第一端、一控制端以及一第二端,其中该第三晶体管的该第一端电性耦接至所述多个发光二极管元件的多个所述第二电极,该第三晶体管的该控制端电性耦接至该第二扫描线;

该第一绝缘层的该通孔的该至少一部分的垂直投影以及该第二绝缘层的该通孔的至少一部分的垂直投影位于该第一晶体管的垂直投影与该第三晶体管的垂直投影之间。

9.如权利要求7所述的像素结构,还包括:

一第三绝缘层,设置于该第二转接图案上,且具有一通孔,其中该第一导电图案设置于该第三绝缘层上,且通过该第三绝缘层的该通孔电性耦接至该第二转接图案;

该第三绝缘层的该通孔的至少一部分与该连接图案在该垂直投影方向上重叠。

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