[发明专利]一种AC-DC低压续流二极管芯片结构

权利要求书

1.一种AC-DC低压续流二极管芯片结构，包括芯片本体、上电极层(101)和下电极层(106)；其特征在于：所述芯片本体自上向下依次为上掺杂层(102)、中间本体层(103)和下掺杂层(104)；所述芯片本体采用P+/N/N+本体或N+/N/P+本体；所述芯片本体的外侧为芯片分离区域(108)；

所述上掺杂层(102)和中间本体层(103)之间设有一连续闭环沟槽(107)；所述连续闭环沟槽(107)的表面依次覆盖有玻璃层(111)和氧化层(112)；所述玻璃层(111)和氧化层(112)构成钝化层；

所述上电极层(101)位于连续闭环沟槽(107)中间的上方；所述下电极层(106)位于下掺杂层(104)的外侧；

所述氧化层(112)延伸至上掺杂层(102)的外侧芯片分离区域(108)；

所述上掺杂层(102)、中间本体层(103)和下掺杂层(104)掺杂有金属原子(105)；

所述连续闭环沟槽(107)的宽度在50-500微米，其深度在20-200微米；

所述连续闭环沟槽(107)采用干法开槽加湿法开槽的方法制成，其中干法开槽方法有激光法，或砂轮法，或等离子刻蚀法；其中湿法开槽方法有氢氟酸加硝酸混合液，或氢氟酸加硝酸加冰乙酸混合液，或氢氟酸加硝酸加冰乙酸加磷酸混合液，或氢氟酸加硝酸加冰乙酸加硫酸混合液。

2.根据权利要求1所述的一种AC-DC低压续流二极管芯片结构，其特征在于，所述P+/N/N+本体的上掺杂层(102)P+为P型半导体元素掺杂区，下掺杂层(104)N+为N型半导体元素掺杂区；

所述N+/N/P+本体的上掺杂层(102)N+为N型半导体元素掺杂区，下掺杂层(104)P+为P型半导体元素掺杂区。

3.根据权利要求1所述的一种AC-DC低压续流二极管芯片结构，其特征在于，所述金属原子(105)为铂原子，或金原子，或钯原子，或铂金钯组合的多重金属原子。

4.根据权利要求1所述的一种AC-DC低压续流二极管芯片结构，其特征在于，所述上电极层(101)为无电镀化学镀方法的镍层/镍层加金层或者蒸发或溅射方法获得的多层复合金属层或单层铝层；

所述下电极层(106)为无电镀化学镀方法的镍层/镍层加金层或者蒸发或溅射方法获得的多层复合金属层。