[发明专利]一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法

权利要求书

1.一种片上波导损耗测量装置，具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：

形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；

位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；

形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及

形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。

2.如权利要求1所述的片上波导损耗测量装置，其中，所述片上波导损耗测量单元还包括：

覆盖层，其覆盖所述光耦合器，所述分束器，所述波导组以及所述光电探测器。

3.如权利要求2所述的片上波导损耗测量装置，其中，

所述覆盖层具有开口，所述光耦合器位于所述开口下方。

4.如权利要求3所述的片上波导损耗测量装置，其中，

所述光耦合器为端面耦合器或光栅耦合器。

5.如权利要求3所述的片上波导损耗测量装置，其中，

所述光电探测器是锗(Ge)探测器或锗锡(GeSn)探测器。

6.如权利要求1-5中任一项所述的片上波导损耗测量装置，其中，

片上波导损耗测量装置具有两个以上所述片上波导损耗测量单元，

任一个所述片上波导损耗测量单元的波导组中波导的长度至少部分不同于其他片上波导损耗测量单元的波导组中波导的长度，

所述两个以上所述片上波导损耗测量单元被设置于同一个绝缘体上的硅(SOI)衬底上，并且，至少两个所述片上波导损耗测量单元共用至少一个所述光电探测器。

7.一种片上波导损耗的测量方法，使用权利要求1-6中任一项所述的片上波导损耗测量装置对片上波导损耗进行测量，所述测量方法包括：

向光耦合器照射光；

测量各所述光电探测器输出的光电流值；

根据所述光电探测器输出的光电流值，计算片上波导的损耗。

8.一种片上波导损耗测量装置的制造方法，所述片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元的制造方法包括：

在绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中形成光耦合器；

在所述光耦合器的光出射端一侧形成分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；

在所述顶层硅中形成波导组，所述波导组具有2个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及

在所述顶层硅上形成两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。

9.如权利要求8所述的片上波导损耗测量装置的制造方法，其中，各所述片上波导损耗测量单元的制造方法还包括：

形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述光耦合器，所述分束器，所述波导组以及所述光电探测器。

10.如权利要求9所述的片上波导损耗测量装置的制造方法，其中，各所述片上波导损耗测量单元的制造方法还包括：

在所述覆盖层中形成开口，所述光耦合器位于所述开口下方。