[发明专利]基于低功耗神经网络近数据处理MRAM的混合存储系统在审
| 申请号： | 201910830248.3 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110362280A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 丛维;杨源;金生 | 申请（专利权）人： | 南京优存科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F13/16 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 梁涛 |
| 地址： | 210032 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 数据处理 低功耗 神经网络 磁性随机存储器 缓存 混合存储系统 存储控制器 闪存 信息处理能力 高带宽总线 闪存控制器 数据处理器 取代存储 人工智能 架构 | ||
1.基于低功耗神经网络近数据处理MRAM的混合存储系统，其特征在于：
所述混合存储系统使用神经网络缓存，采用低功耗近数据处理磁性随机存储器闪存混合存储控制器架构；
所述神经网络缓存包括一个共用的低功耗近数据处理磁性随机存储器和多个人工智能数据处理器；
所述低功耗近数据处理磁性随机存储器闪存混合存储控制器利用低功耗近数据处理磁性随机存储器神经网络缓存来取代存储设备中的易失缓存；
多个神经网络缓存通过高带宽总线彼此相连，并连接低功耗近数据处理磁性随机存储器闪存混合存储控制器内的闪存控制器。
2.根据权利要求1所述的基于低功耗神经网络近数据处理MRAM的混合存储系统，其特征在于：
所述低功耗近数据处理磁性随机存储器的输入层也是低功耗近数据处理磁性随机存储器闪存混合存储控制器的数据缓存。
3.根据权利要求2所述的基于低功耗神经网络近数据处理MRAM的混合存储系统，其特征在于：
共用的低功耗近数据处理磁性随机存储器中还包含多个隐含层和一个输出层，用来储存经神经网络缓存单元内人工智能数据处理器处理的数据。
4.根据权利要求2所述的基于低功耗神经网络近数据处理MRAM的混合存储系统，其特征在于：
每一个低功耗近数据处理磁性随机存储器单元都与现场可编程熔断器和MUX相连接，输入层内部连接隐含层以及输出层，可以在混合控制器初始化进程中配置，或通过网络在计算节点进行配置。
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