[发明专利]显示面板及其制造方法

说明书

本发明提供一种显示面板及其制造方法。该制造方法包括提供一基板；形成一第一图案化遮光层；设置一缓冲层；形成一图案化半导体层；设置一第一绝缘层；形成一第一图案化金属层；以所述第一图案化金属层为掩模而进行一第一离子浓度注入，形成一轻掺杂区与一沟道区于所述半导体层；设置一遮光材料层于所述第一图案化金属层上，且图案化所述遮光材料层以形成一图案化遮光材料层；以及以所述图案化遮光材料层为掩模而进行一第二离子浓度注入，形成一重掺杂区于所述半导体层。

技术领域

本发明是有关于一种显示面板及其制造方法，且特别是有关于一种具有低浓度掺杂区域薄膜晶体管的显示面板及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，显示装置被广泛应用在许多电子产品上，如手机、平板电脑、手表等。为了提高显示质量，大尺寸、高解析度、高亮度的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板应运而生。

现有的低温多晶硅薄膜晶体管显示面板，一般在进行低浓度离子掺杂形成低浓度掺杂区域(LDD lightly doped drain)时，通常采用如下两种方法：1、使用栅极金属层作为掩模进行高浓度掺杂，再对栅极金属层进行二次蚀刻，进一步缩减栅极金属层的线宽，以栅极金属层作为掩模进行低浓度掺杂，形成低浓度掺杂区域；2、使用专用的光罩制作掩模层从而定义高浓度掺杂区域，去除掩模层后，使用栅极金属层作为掩模进行低浓度掺杂，形成低浓度掺杂区域。上述的第一种方法会对所有的栅极金属层造成影响，设计时需对所有的栅极金属层走线都要进行加粗以防止断线，使得数据及移位寄存器扇出部分走线的线宽和线距所占空间增大，越来越难以实现客户未来更窄边框的要求，严重影响产品竞争力，而且二次蚀刻使得对于有不同图形密度的栅极金属层有不同的蚀刻速率，因此需要针对不同部位进行分区补偿，降低了出图效率且增加了出错概率；第二种方法需要额外增加一层光罩，成本较高。

因此，如何能在不增加专用光罩的基础上，形成低浓度掺杂区域，且避免因使用二次蚀刻而带来的弊端，增加产品竞争力。实为需要解决的问题之一。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种显示面板及其制造方法，可以利用显示面板制作流程中其他层别的光罩，定义薄膜晶体管中的低浓度掺杂区域，获得更小线宽和/或线距的栅极金属层，增加薄膜晶体管对侧向光和正向光的光漏电保护，简化出图流程，提高效率，降低出错概率。

本发明一实施例的显示面板的制造方法，包括提供一基板；形成一第一遮光层于所述基板，且图案化所述第一遮光层，以形成一第一图案化遮光层；设置一缓冲层于所述基板，且所述缓冲层覆盖所述第一图案化遮光层；形成一半导体层于所述缓冲层，且图案化所述半导体层，以形成一图案化半导体层；设置一第一绝缘层于所述基板，且所述第一绝缘层覆盖所述图案化半导体层；设置一第一金属层于所述第一绝缘层，且图案化所述第一金属层，以形成一第一图案化金属层；以所述第一图案化金属层为掩模而进行一第一离子浓度注入，形成一轻掺杂区与一沟道区于所述半导体层；设置一遮光材料层于所述第一图案化金属层上，且图案化所述遮光材料层以形成一图案化遮光材料层；以及以所述图案化遮光材料层为掩模而进行一第二离子浓度注入，形成一重掺杂区于所述半导体层。