[发明专利]晶片涂布制作工艺

权利要求书

1.一种晶片涂布制作工艺，包含：

放置晶片于支撑柱上，且该晶片与位于该晶片下方的加热盘之间具有间距，使该晶片能以第一温度涂布；以及

判定目标晶片制作工艺温度与该第一温度的差异，以改变该晶片的涂布温度，其中当该目标晶片制作工艺温度大于该第一温度时，直接加热该加热盘至该目标晶片制作工艺温度；当该目标晶片制作工艺温度小于该第一温度但大于最低涂布温度时，仅增加该晶片与该加热盘之间的该间距，其中该最低涂布温度为在没有冷却该加热盘且该晶片与该加热盘之间具有一最大间距时的温度；当该目标晶片制作工艺温度小于该最低涂布温度时，增加该晶片与该加热盘之间的该间距且冷却该加热盘。

2.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，其中经由抬升该些支撑柱，以增加该晶片与该加热盘之间的该间距。

3.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，其中放置该晶片于三个该些支撑柱上。

4.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，在改变该晶片的该涂布温度前，还包含：

检查该目标晶片制作工艺温度及校正该加热盘的温度均匀度。

5.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，其中该晶片涂布制作工艺为六甲基硅氮烷(hexa-methyl-disilazane,HMDS)的晶片涂布制作工艺。

6.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，其中该最低涂布温度为在没有冷却该加热盘且该晶片与该加热盘之间具有该最大间距时该晶片的涂布温度。

7.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，其中该最大间距为一装置的最大安全间距。

8.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，其中该晶片与该加热盘之间的最小间距为0.1纳米。

9.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，在判定该目标晶片制作工艺温度与该第一温度的差异，以改变该晶片的该涂布温度之前，还包含：

以该第一温度涂布该晶片。

10.如权利要求1所述的晶片涂布制作工艺，在判定该目标晶片制作工艺温度与该第一温度的差异，以改变该晶片的该涂布温度之后，还包含：

以该目标晶片制作工艺温度涂布该晶片。

11.如权利要求10所述的晶片涂布制作工艺，其中重复循环进行判定该目标晶片制作工艺温度与该第一温度的差异，以改变该晶片的该涂布温度的步骤以及以该目标晶片制作工艺温度涂布该晶片的步骤。