[发明专利]一种具有可移动环的等离子体处理器

权利要求书

1.一种等离子体处理器，包括：

反应腔，由反应腔壁围绕而成，所述反应腔内设置一个基座，所述基座用于承载基片；

源射频电源，用于施加第一射频周期信号到所述反应腔内，以点燃并维持等离子体；

偏置射频电源，用于施加第二射频周期信号到所述基座；

气体喷淋头，位于反应腔内与所述基座相对的上方，所述气体喷淋头与所述基座之间形成一反应空间；

等离子约束环，围绕所述基座设置，用于将所述等离子体约束在所述反应空间内，同时保证反应副产物气体排出反应腔；

可移动环，环绕所述反应空间设置，所述可移动环在至少高位和低位两个位置间移动，在等离子处理过程中，所述可移动环下降到低位；

其中所述可移动环包括气体扩散腔和通气槽，所述气体扩散腔与所述等离子体约束环气体联通，所述通气槽用于实现所述反应空间与所述气体扩散腔的气体联通；

其中所述等离子体约束环包括靠近基座的内侧排气区域和靠近反应腔壁的外侧排气区域，所述外侧排气区域与所述气体扩散腔气体联通。

2.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于，所述可移动环包括一内壁，所述通气槽为贯穿所述内壁的气体通道，所述通气槽容许气体与等离子体通过。

3.如权利要求2所述的等离子体处理器，其特征在于，所述可移动环的内壁与所述等离子体约束环的内侧排气区域形成第一气流通道；所述通气槽、气体扩散腔与所述等离子体约束环的外侧排气区域形成第二气流通道。

4.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于，所述等离子体约束环内侧排气区域上方设置一环形盖板，所述环形盖板上设置有多个开口，反应气体经过所述多个开口向下进入约束环内侧区域。

5.如权利要求4所述的等离子体处理器，其特征在于，所述环形盖板上的多个开口均匀分布，且多个开口的开口截面积可调。

6.根据权利要求4所述的等离子体处理器，其特征在于：所述可移动环的内壁底部与所述环形盖板之间包括一间隙，所述间隙小于1mm。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于，所述基座外围还包括一遮挡环，所述等离子体约束环位于所述遮挡环与反应腔壁之间。

8.如权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于，所述基片外围环绕设置有聚焦环，所述可移动环处于低位时，所述通气槽下沿的高度高于所述基片上表面或者所述聚焦环上表面。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于，所述等离子体约束环包括一隔离环，所述隔离环靠近反应腔壁设置，所述可移动环还包括一外壁位于所述气体扩散腔靠近反应腔壁的一侧，所述可移动环的外壁底部与所述隔离环上表面配合，以防止气体扩散腔中的等离子到达反应腔壁。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于，所述通气槽的口径大于等于3mm。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理器，其特征在于：所述可移动环处于低位时，所述通气槽的外侧口高度高于内侧口高度，使得气流向上抬升。