[发明专利]一种光耦合器在审
| 申请号： | 201910832376.1 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110581704A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 丁东民;张武安;陈学礼;李宝杰;王亚萍;杨拓 | 申请（专利权）人： | 华润半导体(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K17/795 |
| 代理公司： | 11257 北京正理专利代理有限公司 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流放大电路 发光二极管 光检测电路 光敏三极管 电流泄放 光耦合器 恢复电流 检测电路 输出电流 关断 泄放 放大 配置 | ||
1.一种光耦合器，包括由发光二极管和光敏三极管构成的光检测电路，其特征在于，还包括：电流放大电路，配置成对所述光检测电路的输出电流进行放大，
其中，所述电流放大电路包括用于泄放自身关断恢复电流的电流泄放通路。
2.如权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，所述电流放大电路包括第一端、第二端和第三端，所述第一端与所述光检测电路连接以使所述光检测电路的输出电流流经所述电流放大电路，所述第二端作为所述光耦合器的输出端，所述第三端作为偏置电位连接端，在所述第一端与所述第三端之间连接的电阻器作为所述电流泄放通路。
3.如权利要求2所述的光耦合器，其特征在于，所述电流放大电路包括NPN晶体管，所述NPN晶体管的基极作为所述第一端、集电极作为所述第二端、发射极作为所述第三端，其中，所述NPN晶体管的基极与所述光敏三极管的发射极连接。
4.如权利要求2所述的光耦合器，其特征在于，所述电流放大电路包括PNP晶体管，所述PNP晶体管的基极作为所述第一端、发射极作为所述第二端、集电极作为所述第三端，其中，所述PNP晶体管的基极与所述光敏三极管的集电极连接。
5.如所述权利要求2至4中任意一项所述的光耦合器，其特征在于，当所述流经所述光检测电路的输出电流变化范围为3mA-20mA时，所述电阻器的阻值范围设置为200Ω-1000Ω。
6.如权利要求3所述的光耦合器，其特征在于，所述NPN晶体管为高速开关管。
7.如权利要求3所述的光耦合器，其特征在于，PNP晶体管为高速开关管。
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