[发明专利]一种实现RK3128 ARM平台系统低温启动的方法在审
| 申请号： | 201910832622.3 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110647184A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡炎;刘泽;王强;王金鹏 | 申请（专利权）人： | 浪潮金融信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/19 | 分类号： | G05D23/19 |
| 代理公司： | 11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率MOS管 温度传感器 加热电路 接地端口 与逻辑 电源 工业控制领域 输出端连接 低温启动 电路串联 平台系统 依次串联 正常启动 控制端 输出端 中低温 电路 应用 | ||
1.一种实现RK3128ARM平台系统低温启动的方法，其特征在于：包括CPU、温度传感器、逻辑电路和大功率MOS开关电路；所述CPU的GPIO端和温度传感器的输出端分别与逻辑电路串联连接；所述逻辑电路与大功率MOS开关电路串联连接；所述大功率MOS开关电路包括电源、大功率MOS管、加热电路和接地端口；所述电源、大功率MOS管、加热电路和接地端口依次串联在一起；所述大功率MOS管的控制端与逻辑电路的输出端连接；低温启动方法如下：第一步，系统上电，温度传感器检测环境温度，当环境温度在-25℃或以下时，温度传感器输出端输出逻辑高电平；在正常温度环境下，温度传感器输出端输出逻辑低电平；第二步，当大功率MOS开关电路中大功率MOS管的控制端输入为逻辑高电平时，大功率MOS管打开，启动主板内置的加热电路；当大功率MOS开关电路中大功率MOS管的控制端输入为逻辑低电平时，大功率MOS管关闭，断开主板内置的加热电路；第三步，在温度达到CPU的启动温度后，系统启动，系统启动后CPU通过GPIO端端口输出逻辑低电平，该端口通过逻辑电路连接到大功率MOS管的控制端，从而关闭大功率MOS管，断开主板内置的加热电路。
2.如权利要求1所述的一种实现RK3128ARM平台系统低温启动的方法，其特征在于：所述大功率MOS管和主板内置的加热电路串联在一起，大功率MOS管MOS管打开或关闭时会相应的打开或关闭主板内置的加热电路。
3.如权利要求1所述的一种实现RK3128ARM平台系统低温启动的方法，其特征在于：所述大功率MOS开关电路中的电源可直接接入交流电，也可接入蓄电池。
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