[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201910832800.2 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110890382A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 朴晙皙;金兑相;文然建;朴根徹;林俊亨;全景辰 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/15 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 田野;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;栅极驱动器,在非显示区域中设置在基底上,并且包括生成栅极信号并将栅极信号输出到显示区域的多个级;开关晶体管和驱动晶体管,在显示区域中设置在基底上;以及发光二极管,连接到驱动晶体管,其中,多个级中的每个级可以包括多个晶体管,其中,驱动晶体管的沟道层包括第一氧化物半导体材料,包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层包括第二氧化物半导体材料,其中,第一氧化物半导体材料与第二氧化物半导体材料不同,并且其中,第二氧化物半导体材料可以包括锡。
本申请要求于2018年9月4日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0105501号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
诸如发光显示装置的显示装置包括在其上显示图像的显示面板以及用于驱动显示面板的诸如栅极驱动器和数据驱动器的驱动器。驱动器在制造工艺中可以作为单独的芯片被提供并且电连接到显示面板。最近,已经开发了一种将栅极驱动器集成在显示面板中而不将栅极驱动器作为单独的芯片提供的技术。
随着显示装置的分辨率增加,包括在栅极驱动器中的多个级的晶体管的电阻和显示装置的开关晶体管的电阻也增大。因此,在高分辨率显示装置中,这样的晶体管可以形成为具有包括高迁移率的氧化物半导体材料的沟道层,以减小它们的尺寸。
然而,当将高迁移率的氧化物半导体材料应用到显示装置的驱动晶体管的沟道层时,可能达不到驱动晶体管的驱动范围。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本公开的背景的理解,并且上述信息可以包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开提供了一种显示装置,在显示装置中,栅极驱动器的晶体管的沟道层和驱动晶体管的沟道层包括不同的材料。
此外,本公开提供了一种通过单个掩模工艺形成包括不同材料的栅极驱动器的晶体管的沟道层和驱动晶体管的沟道层的方法。
本公开的示例性实施例提供了一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;栅极驱动器,在非显示区域中设置在基底上,并且包括生成栅极信号并将栅极信号输出到显示区域的多个级;开关晶体管和驱动晶体管,在显示区域中设置在基底上;以及发光二极管,连接到驱动晶体管,其中,多个级中的每个级可以包括多个晶体管,驱动晶体管的沟道层包括第一氧化物半导体材料,包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层包括第二氧化物半导体材料,其中,第一氧化物半导体材料与第二氧化物半导体材料不同,并且第二氧化物半导体材料可以包括锡。
开关晶体管的沟道层可以包括第二氧化物半导体材料。
包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层以及驱动晶体管的沟道层可以设置在不同的层上。
开关晶体管的沟道层以及包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层可以设置在同一层上。
包括在级中的晶体管中的每个晶体管和开关晶体管可以包括:开关半导体层,设置在基底上,并且包括开关源区、开关漏区和设置在开关源区与开关漏区之间的开关中间区;开关沟道层,设置在开关半导体层上;栅极绝缘膜,设置在开关沟道层上;开关栅电极,设置在栅极绝缘膜上并且与开关沟道层的至少一部分叠置;开关源电极,连接到开关源区;以及开关漏电极,连接到开关漏区,开关沟道层与开关半导体层的开关中间区的至少一部分叠置。
包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层以及开关晶体管的沟道层中的每个可以包括开关沟道层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的