[发明专利]一种控制编程噪声的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制编程噪声的方法。所述方法包括：对所述Nand flash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得选通管导通，在选通管导通的情况下，对Nand flash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压，其中，通过施加第二预设电压，使得Nand flash存储器中存储链的沟道电压从0变为第一初始电压。本发明在预备编程的阶段使得不需要编程的存储链的沟道电压变高，就可以使得在编程的过程中不需要编程的存储单元的浮栅与沟道之间的电压差变得更低，消除了编程过程中引入的编程噪声，提高了Nand Flash的读取精度。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制编程噪声的方法和装置。

背景技术

Nand Flash存储器是一种非易失存储器，其存储容量较大，市面常见的有1Gb/2Gb/4Gb/16Gb/32Gb等。Nand Flash按照page(页)容量来进行读、写存储阵列单元，常见的Page容量有1KB/2KB/4KB/16KB等。当用户所需写入数据的大小小于page容量时，就需要对一个Page分段多次编程才能填满整个page，例如：假设用户第一次写入数据的大小为2KB，但是用户使用的Nand Flash的page容量是4KB，因此，第一次将这2KB的数据写入NandFlash的page0(假设page0为Nand Flash的第一页)，之后，用户第二次写入数据的大小为4KB，根据Nand Flash的特性，这4KB的数据中有2KB会写入page0，而剩下的2KB会写入page1。

但多次对同一个page进行编程将会引入较大的编程噪声使得“1”存储单元(cell)的阈值变高，进而影响Nand Flash的读取精度，另外，当用户连续上万次对Nand Flash交替进行编程、擦除时由于在cell中引入了“缺陷”，使得cell更容易被编程、更难被擦除，当编程变得更加容易时，也会引入较大的编程噪声使得“1”cell的阈值变高，进而影响NandFlash的读取精度。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种控制编程噪声的方法，解决了编程过程中引入编程噪声使得“1”存储单元的阈值变高的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制编程噪声的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：寄存器和存储单元，所述寄存器为临时存储所需编程数据的器件，所述方法包括：

在所需编程的数据已经存储在所述寄存器中，预备写入所述存储单元的情况下：

对所述Nand flash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得存储链与其所处的位线之间的选通管导通；

在存储链与其所处的位线之间的选通管导通的情况下，对所述Nand flash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压；

其中，通过施加所述第二预设电压，使得所述Nand flash存储器中存储链的沟道电压从0变为第一初始电压。

可选地，在对所述Nand flash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压之后，所述方法还包括：

接收编程指令，对所述Nand flash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加选通工作电压；

对所述不需要编程的存储链所处的位线施加电源电压，其中，通过施加的选通工作电压和电源电压，使得不需要编程的存储链与其所处的位线之间的选通管关断；

在所述不需要编程的存储链与其所处的位线之间的选通管关断的情况下，对所述不需要编程的存储链所处的字线施加导通电压，所述导通电压和所述第一初始电压共同作用，使得所述不需要编程的存储链的沟道电压变为第一高沟道电压，进而降低所述不需要编程的存储单元的浮栅与沟道之间的电压差。