[发明专利]一种直拉单晶多次复投工艺在审
| 申请号： | 201910833140.X | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110396715A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘有益;王建平;杨志;刘学;杨瑞峰;王建宇;高利强;王林;高润飞;郭志荣 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶 拉制 直拉单晶 石英坩埚 金属杂质 次投料 硅原料 可去除 拉晶 投料 保证 | ||
1.一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，至少包括初次投料并拉制一段单晶，拉制所述一段单晶后石英坩埚内有剩料；二次投料并拉制二段单晶，拉制所述二段单晶后石英坩埚内无剩料。
2.根据权利要求1所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，所述初次投料和所述二次投料均为一次装料而成。
3.根据权利要求1或2所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，拉制所述一段单晶后石英坩埚内的剩料为一次剩料，所述一次剩料重量是所述初始投料重量的30％。
4.根据权利要求3所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，所述二次投料重量小于所述初次投料重量。
5.根据权利要求4所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，所述二次投料重量是所述初次投料重量减去两倍的所述一次剩料重量。
6.根据权利要求5所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，所述一段单晶长度大于所述二段单晶长度。
7.根据权利要求1-2、4-6所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，还包括对所述一段单晶和所述二段单晶进行检测。
8.根据权利要求7所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，所述检测项目为电阻率。
9.根据权利要求8所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，重复多伦所述初次投料和所述二次投料，并依次进行单晶拉制。
10.根据权利要求9所述的一种直拉单晶多次复投工艺，其特征在于，至少可重复三轮所述初次投料和所述二次投料的单晶拉制。
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