[发明专利]一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构

权利要求书

1.一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，包括SESAM封装结构，其特征在于：所述SESAM封装结构包括光纤跳线(1)，所述光纤跳线(1)包括偏振保持光纤(101)和螺柱式插芯(102)，所述螺柱式插芯(102)上螺纹连接有转换套筒(2)，所述转换套筒(2)包括壳体(201)和内筒(202)，所述螺柱式插芯(102)与内筒(202)的一端螺纹连接，所述螺柱式插芯(102)上卡接有半导体可饱和吸收镜，所述半导体可饱和吸收镜(3)包括保护环(301)，所述保护环(301)内固定连接有吸收镜本体(302)，所述保护环(301)的侧壁上开凿有环形限位槽，所述螺柱式插芯(102)的内壁上固定连接有与环形限位槽相匹配的橡胶限位环(103)，所述内筒(202)远离光纤跳线(1)的一端卡连接有陶瓷插芯(4)，所述内筒(202)的两端分别开凿有与陶瓷插芯(4)相匹配的插槽和与螺柱式插芯(102)相匹配的螺纹槽。

2.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述偏振保持光纤(101)为长度1-1.5m单模光纤跳线,所述偏振保持光纤(101)的芯径为5-6μm。

3.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述螺柱式插芯(102)内设有与保护环(301)相匹配的光纤，所述光纤靠近半导体可饱和吸收镜(3)的一端为角度为0°的平面端。

4.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述半导体可饱和吸收镜(3)的弛豫时间为450-500fs，所述半导体可饱和吸收镜(3)的反射带宽为900-1100nm。

5.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述陶瓷插芯(4)的直径为2-2.5mm，所述陶瓷插芯(4)的长度为2.5-3cm。

6.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述壳体(201)的表面铺设有橡胶保护层，所述橡胶保护层上开凿有防滑纹。

7.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述保护环(301)露出在螺柱式插芯(102)外，所述保护环(301)露出部分的侧壁上开凿有多个卸载槽。

8.根据权利要求1所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：包括与SESAM封装结构相连的全光纤锁模激光振荡器结构，所述全光纤锁模激光振荡器结构包括激光振荡器本体，所述激光振荡器本体内设有单模泵浦激光源(5)，所述单模泵浦激光源(5)的一侧设有波分复用器(6)，所述单模泵浦激光源(5)的输出端与波分复用器(6)的输入端匹配，所述SESAM封装结构与波分复用器(6)的输入端连接，所述波分复用器(6)的输出端设有宽带啁啾光纤光栅(8)，所述波分复用器(6)与宽带啁啾光纤光栅(8)之间设有单模掺镱增益光纤(7)，所述宽带啁啾光纤光栅(8)的输出端设有偏振相关隔离器(9)。

9.根据权利要求8所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述宽带啁啾光纤光栅(8)的中心波长为1030nm。

10.根据权利要求8所述的一种提高SESAM全光纤锁模激光振荡器可靠性的封装结构，其特征在于：所述宽带啁啾光纤光栅(8)通过偏振相关隔离器(9)输出80％锁模激光功率，所述宽带啁啾光纤光栅(8)将剩余的20％锁模激光功率反射回谐振腔内。