[发明专利]电源模块在审
申请号: | 201910834593.4 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110391689A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 陆新城;段花山;贺先忠;代勇敏;朱文斌 | 申请(专利权)人: | 山东晶导微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/04 | 分类号: | H02J7/04;H05B33/08 |
代理公司: | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人: | 李波;孙新国 |
地址: | 273100 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 瞬变电压抑制二极管 电源模块 整流二极管芯片 电源控制芯片 芯片 并联连接 输出回路 封装体 电路 充电器 二极管芯片 照明设备 方式控制 小功率 管脚 驱动 应用 | ||
1.一种电源模块(100),包括:
IC电源控制芯片(5),其设有多个焊盘并配置用于对所述电源模块(100)执行管理和控制;
整流二极管芯片(1,2,3,4),其具有与所述IC电源控制芯片(5)连接的多个引脚,并且配置用于将输入的交流电转换成直流电;以及
瞬变电压抑制二极管芯片(6),其并联连接于所述整流二极管芯片(1,2,3,4)的输入回路或者输出回路,并且配置用于保护所述IC电源控制芯片(5)免受干扰,
其中当所述瞬变电压抑制二极管芯片(6)并联连接于所述整流二极管芯片(1,2,3,4)的输出回路时:
所述IC电源控制芯片(5)和瞬变电压抑制二极管芯片(6)集成于具有多个管脚的封装体(8)内,而所述所述整流二极管芯片(1,2,3,4)在所述封装体(8)外部与所述封装体(8)连接,并且其中所述IC电源控制芯片(5)和瞬变电压抑制二极管芯片(6)通过相关焊盘和引脚与所述封装体(8)的相关管脚相连接,以便在操作中实现电源输出;或者
所述IC电源控制芯片(5)、所述整流二极管芯片(1,2,3,4)和瞬变电压抑制二极管芯片(6)集成于具有多个管脚的封装体(8)内,并且其中所述IC电源控制芯片(5)、所述整流二极管芯片(1,2,3,4)和瞬变电压抑制二极管芯片(6)通过相关焊盘和引脚与所述封装体(8)的相关管脚相连接,以便在操作中实现电源输出。
2.根据权利要求1所述的电源模块,其中当所述瞬变电压抑制二极管芯片(6)并联连接于所述整流二极管芯片(1,2,3,4)的输入回路时,所述IC电源控制芯片(5)、所述整流二极管芯片(1,2,3,4)和瞬变电压抑制二极管芯片(6)集成于所述封装体(8)内,并且其中所述IC电源控制芯片(5)、所述整流二极管芯片(1,2,3,4)和瞬变电压抑制二极管芯片(6)通过相关焊盘和引脚与所述封装体(8)的相关管脚相连接,以便在操作中实现电源输出。
3.根据权利要求1或2所述的电源模块,其中当所述瞬变电压抑制二极管芯片(6)并联连接于所述整流二极管芯片(1,2,3,4)的输入回路时,该瞬变电压抑制二极管芯片(6)与所述整流二极管芯片(1,2,3,4)的两个交流输入端(AC1,AC2)相连接。
4.根据权利要求1或2所述的电源模块,其中当所述瞬变电压抑制二极管芯片(6)并联连接于所述整流二极管芯片(1,2,3,4)的输出回路时,该瞬变电压抑制二极管芯片(6)连接至所述封装体(8)的多个管脚中的高压输出端和共地端。
5.根据权利要求1或2所述的电源模块,其中所述IC电源控制芯片(5)包括金属氧化物半导体型场效应管(9),以便通过控制所述金属氧化物半导体型场效应管的开关来将能量存储于能量储存组件中。
6.根据权利要求5所述的电源模块,进一步包括:
集成于所述封装体(8)内的续流二极管芯片(10),其连接至所述封装体的多个管脚中的高压控制端和高压输出端;或者优选地
集成于所述封装体(8)内的续流二极管芯片(10),其一端连接至所述封装体(8)的多个管脚中的高压控制端,而其另一端连接至所述封装体(8)外的第二瞬变电压抑制二极管芯片;或者优选地
集成于所述封装体(8)内的第二瞬变电压抑制二极管芯片(11),其一端连接至所述封装体(8)的多个管脚中的高压控制端,而其另一端连接至所述封装体(8)外的续流二极管芯片(10);或者优选地
集成于所述封装体(8)内的第二瞬变电压抑制二极管芯片(11)和续流二极管芯片(10),所述第二瞬变电压抑制二极管芯片(11)和续流二极管芯片(10)串联连接,并连接至所述封装体的多个管脚中的高压控制端和高压输出端。
7.根据权利要求1或2所述的电源模块,进一步包括集成于所述封装体(8)内的金属氧化物半导体型场效应管芯片(9),其中所述IC电源控制芯片(5)的一个焊盘连接至所述金属氧化物半导体型场效应管芯片(9)的栅极,而所述金属氧化物半导体型场效应管芯片的漏极连接至所述封装体的所述多个管脚中的高压控制端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东晶导微电子股份有限公司,未经山东晶导微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910834593.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种安全智能充电方法
- 下一篇:一种自主潜航器无接触充电系统及其充电方法