[发明专利]一种振动检测装置及其制造方法有效
申请号: | 201910835240.6 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110631685B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 万蔡辛 | 申请(专利权)人: | 无锡韦感半导体有限公司 |
主分类号: | G01H11/06 | 分类号: | G01H11/06 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;刘静 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 振动 检测 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种振动检测装置的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底上方形成振膜;
在所述振膜上方形成背极,所述背极与所述振膜分离设置以形成电容;以及
形成至少一个质量块,所述质量块位于所述振膜的上表面和/或下表面,
其中,形成所述质量块的步骤包括:
形成牺牲层,所述牺牲层包括分布在所述振膜的第一表面上的至少一个第一牺牲区;
形成覆盖所述牺牲区的生长层,所述生长层包括具有至少一个释放孔且分布于各个所述第一牺牲区上方的所述背极,每个所述第一牺牲区的一部分被相应的所述释放孔暴露;所述生长层的至少一部分与所述振膜相连接以形成所述质量块;以及
经所述至少一个释放孔去除所述至少一个第一牺牲区,使得所述背极被释放以与所述质量块和所述振膜分离。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述牺牲层还包括至少一个贯穿孔和被保留的至少一个第二牺牲区,所述至少一个第二牺牲区与待去除的所述至少一个第一牺牲区相间分布在所述振膜的第一表面并被相应的所述贯穿孔隔开,
所述质量块包括所述至少一个第二牺牲区。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,在形成所述生长层时,各个所述贯穿孔被所述生长层填充以使每个所述第二牺牲区的侧壁被所述生长层覆盖,部分所述生长层覆盖各个所述第二牺牲区的上表面,
所述质量块还包括覆盖在所述第二牺牲区表面的部分所述生长层。
4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,至少一个通孔与相应的所述质量块位置对应且互不接触,所述通孔的开口尺寸大于相应的所述质量块的尺寸,以允许相应的所述质量块的至少部分设置在所述通孔内。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,形成所述质量块的步骤包括:
去掉部分所述衬底,使得所述衬底包括开口和所述质量块,
所述开口由所述衬底的上表面向下表面延伸,所述质量块与所述振膜的下表面相连以随所述振膜振动,所述质量块位于所述开口中且不与所述衬底接触。
6.一种振动检测装置,由权利要求1-5中任一项所述的制造方法制得,包括:
衬底;
背极;以及
振膜结构,可振动地设置于所述衬底和所述背极之间,并与所述背极形成电容,
其中,所述振膜结构包括振膜以及位于所述振膜上表面和/或下表面的至少一个质量块。
7.根据权利要求6所述的振动检测装置,其特征在于,所述振膜的质量中心与所述振膜结构的质量中心的连线垂直于所述振膜,或所述振膜的质量中心与所述振膜结构的质量中心重合。
8.根据权利要求6所述的振动检测装置,其特征在于,所述背极包括至少一个通孔,每个所述通孔贯穿所述背极,
至少一个所述通孔与相应的所述质量块位置对应且互不接触,所述通孔的开口尺寸大于相应的所述质量块的尺寸,以允许相应的所述质量块的至少部分设置在所述通孔内。
9.根据权利要求6所述的振动检测装置,其特征在于,所述衬底包括第一部分和第二部分,至少一个所述质量块附着于所述振膜的下表面且可移动地设置于所述第一部分和所述第二部分之间。
10.根据权利要求9所述的振动检测装置,其特征在于,所述衬底的所述第一部分和所述第二部分相连或分离。
11.根据权利要求9所述的振动检测装置,其特征在于,附着于所述振膜的下表面的所述质量块的厚度小于所述衬底的厚度。
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