[发明专利]屏蔽膜及其制作方法

权利要求书

1.一种屏蔽膜，其特征在于，包括由微电铸制备形成包括多条金属线的屏蔽区，以及由微电铸制备形成、连接于所述屏蔽区至少一侧、用以降低所述屏蔽区整体的厚度差异的缓冲区。

2.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述缓冲区的宽度大于所述屏蔽区中金属线的宽度。

3.如权利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区中金属线的宽度为3-10μm，所述缓冲区的宽度为0.5-2cm。

4.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区的厚度小于所述缓冲区的厚度，所述屏蔽区与所述缓冲区的厚度差异小于或等于3μm，所述缓冲区的厚度为5-20μm，所述屏蔽区的厚度2-17μm。

5.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区设有第一导电层、设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述缓冲区设有第一金属层、设置在所述第一金属层上的第二金属层，所述第一导电层连接所述第一金属层，所述第二导电层连接所述第二金属层。

6.如权利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第二导电层的厚度大于所述第一导电层的厚度，所述第二金属层的厚度大于所述第一金属层的厚度。

7.如权利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层与所述第一金属层的材料相同，所述第二导电层与所述第二金属层的材料相同，所述第一导电层与所述第一金属层的材料为银或铜或金或石墨烯或其它导电材料的浆料，所述第二导电层与所述第二金属层的材料为银或铜或金或镍或铁镍合金或其它金属材料。

8.如权利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层的接触面为平面或非平面，所述第一金属层与所述第二金属层的接触面为平面或非平面。

9.如权利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽区四周均设置所述缓冲区。

10.一种屏蔽膜的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供具有屏蔽区图形凹槽以及与所述屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽的固化胶层；

在所述屏蔽区图形凹槽和所述缓冲区图形凹槽内采用微电铸制备屏蔽区以及与所述屏蔽区连接的缓冲区；

将连接在一起的所述屏蔽区和所述缓冲区与所述固化胶层分离，获得屏蔽膜。

11.如权利要求10所述的屏蔽膜的制作方法，其特征在于，制备屏蔽区以及与所述屏蔽区连接的缓冲区的具体步骤包括：

将第一金属材料填充至所述屏蔽区图形凹槽和所述缓冲区图形凹槽内；

固化后形成第一导电层和所述第一金属层；

在所述屏蔽区图形凹槽和所述缓冲区图形凹槽内，采用微电铸的方式将第二金属材料生长在所述第一导电层和所述第一金属层上，形成第二导电层和第二金属层。

12.如权利要求10所述的屏蔽膜的制作方法，其特征在于，所述具有屏蔽区图形凹槽以及与所述屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽的固化胶层的制备方法包括：

提供一基板；

在基板表面涂布一层固化胶，形成固化胶层；

在固化胶层上制备屏蔽区图形凹槽以及与所述屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽。

13.如权利要求12所述的屏蔽膜的制作方法，其特征在于，所述在固化胶层上制备屏蔽区图形凹槽以及与所述屏蔽区图形凹槽连接的缓冲区图形凹槽的具体步骤包括：

提供一具有网格图形和缓冲区图形的模具，所述网格图形与所述缓冲区图形连接；

将所述模具压印在所述固化胶层上；

固化后形成所述屏蔽区图形凹槽和所述缓冲区图形凹槽。

14.如权利要求10所述的屏蔽膜的制作方法，其特征在于，所述屏蔽区中金属线的宽度为3-10μm，所述缓冲区的宽度为0.5-2cm。

15.如权利要求10所述的屏蔽膜的制作方法，其特征在于，所述屏蔽区四周均设置所述缓冲区。