[发明专利]半导体装置和包括其的半导体封装件

说明书

本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。

相关申请的交叉引用

于2018年9月20日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体装置和包括其的半导体封装件”的韩国专利申请No.10-2018-0113157以引用方式全文并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种半导体装置和包括其的半导体封装件。

背景技术

半导体装置因为它们的小尺寸、多功能性和/或低制造成本而广泛用于电子工业中。半导体装置可包含用于存储数据的存储器装置、用于处理数据的逻辑装置和用于同时操作各种功能的混合装置。

随着电子工业的先进发展，半导体装置具有高集成度。随着电子工业的先进发展，半导体装置还具有高速度。为了满足半导体装置的高集成度和/或高速度的要求，已经进行了各种研究。

发明内容

可通过提供一种半导体装置来实现实施例，所述半导体装置包括：第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。

可通过提供一种半导体装置来实现实施例，所述半导体装置包括：第一电介质层；第一电介质层上的第二电介质层；以及第一电介质层与第二电介质层之间的焊盘连接器，其中焊盘连接器包括中心部分和包围中心部分的外部，并且其中焊盘连接器的粒度在从外部向中心部分的方向上增加。

可通过提供一种半导体封装件来实现实施例，所述半导体封装件包括：封装件衬底；封装件衬底上的第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一半导体层和堆叠在第一半导体层的第一表面上的第一缓冲电介质层；第一半导体芯片上的第二半导体芯片，第二半导体芯片包括第二半导体层和堆叠在第二半导体层的第一表面上的第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及第一焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中第一焊盘互连结构包括铜和锡。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施例，特征将对于本领域技术人员变得清楚，其中：

图1示出了根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图；

图2示出了显示图1的焊盘连接器的放大图；

图3示出了显示图2的部分A的放大图；

图4示出了显示根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图；

图5示出了显示图4的焊盘连接器的放大图；

图6示出了显示根据一些示例实施例的半导体封装件的剖视图；

图7示出了显示图6的部分B的放大图；

图8示出了显示图6的部分C的放大图；

图9A至图9E示出了根据一些示例实施例的半导体装置的制造方法中的各阶段的剖视图；

图10A至图10C示出了根据一些示例实施例的半导体封装件的制造方法中的各阶段的剖视图。

具体实施方式

图1示出了根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。图2示出了显示图1的焊盘连接器的放大图。图3示出了显示图2的部分A的放大图。