[发明专利]一种IGBT功率器件

权利要求书

1.一种IGBT功率器件，其特征在于，包括从下至上依次层叠设置的衬底(1)、埋氧化层(2)、SOI层(4)和鳍型栅结构；

SOI层(4)中具有漂移区(3)、漏阱区(5)、源阱区(14)、第一导电类型重掺杂漏区(6)、第二导电类型重掺杂漏区(7)、第一导电类型重掺杂源区(12)、第二导电类型重掺杂源区(13)、第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)；所述SOI层(4)为凸台状，其包括凸台基部和凸台部；

漂移区(3)位于凸台基部，漏阱区(5)位于漂移区(3)一侧的凸台基部中，漏阱区(5)的一侧面与漂移区(3)的一侧面接触，第一导电类型重掺杂漏区(6)和第二导电类型重掺杂漏区(7)侧面相互接触的位于漏阱区(5)的上端中远离漂移区(3)的一侧；

源阱区(14)位于漂移区(3)另一侧的凸台基部和凸台部中，所述源阱区(14)的一侧面与漂移区(3)的另一侧面接触，第一导电类型重掺杂源区(12)和第二导电类型重掺杂源区(13)侧面相互接触的位于源阱区(14)的上端中远离漂移区(3)的一侧；

第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)侧面相互接触的位于部分漂移区(3)上的凸台部，且位于源阱区(14)凸台部的一侧，第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)的接触面与第一导电类型重掺杂源区(12)和第二导电类型重掺杂源区(13)的接触面垂直，第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)具有高深宽比；

鳍型栅结构位于源阱区(14)上。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述鳍型栅结构还设置在第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)上。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述漏阱区(5)还位于漂移区(3)一侧的凸台部中，且漏阱区(5)的一侧面还与第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)的一侧面接触。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述漏阱区(5)还位于漂移区(3)一侧的凸台部中，且在第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)与漏阱区(5)之间还设置介质耐压层(15)，所述介质耐压层(15)的一侧面和漏阱区(5)的一侧面接触，介质耐压层(15)的另一侧面与第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)的一侧面接触。

5.根据权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，在第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)与源阱区(14)之间还设置介质耐压层(15)，所述介质耐压层(15)的一侧面和源阱区(14)的一侧面接触，介质耐压层(15)的另一侧面与第一导电类型掺杂区(8)和第二导电类型掺杂区(9)的另一侧面接触。

6.根据权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述鳍型栅结构包括栅介质层(10)和其上的多晶硅栅极(11)。

7.根据权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或者所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。