[发明专利]气相生长装置及外延晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201910837131.8 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110970343A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 吉冈翔平 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/02;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相生 装置 外延 晶片 制造 方法 | ||
1.一种气相生长装置，其特征在于，具备：
基座，其在气相生长时支撑半导体基板；
3个以上的升降杆，其以贯通所述基座且沿上下方向延伸的方式被设置，在将通过搬运机器人被搬运至所述基座上方区域的半导体基板移动至所述基座上时，该升降杆暂时支撑该半导体基板的背面；以及
支撑部，其从下方支撑所述升降杆，以便使所述升降杆升降，
所述升降杆对处于倾斜的状态下的半导体基板进行支撑。
2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于：
部分所述升降杆长度与其他所述升降杆长度不同。
3.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于：
所述支撑部在与其他所述升降杆的下端不同的高度位置上，对部分所述升降杆的下端进行支撑。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的气相生长装置，其特征在于：所述处于倾斜的状态下的半导体基板相对于水平面的倾斜角度为0.1°以上且不足10°。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的气相生长装置，其特征在于：所述处于倾斜的状态下的半导体基板相对于水平面的倾斜角度为0.1°以上且不足1°。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的气相生长装置，其特征在于：全部所述升降杆被设置成离所述基座中心相互同等的距离。
7.一种外延晶片制造方法，其特征在于，具备：
载置工序，其中将被搬运至基座上方区域的半导体基板从倾斜的状态起载置于所述基座上；以及
生长工序，其中在通过所述载置工序被载置于所述基座上的所述半导体基板表面上气相生长薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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