[发明专利]一种恒流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种恒流器件，包括P型衬底和设置在所述P型衬底下方的第一金属电极；

其特征在于，所述恒流器件还包括：

设置在所述P型衬底内并位于所述P型衬底顶部两侧的第一N型区和第二N型区；所述第一N型区和第二N型区均为N型扩散阱区，或所述第一N型区和第二N型区均为N型外延层；

设置在所述第一N型区和第二N型区之间且与分别所述第一N型区和第二N型区相连的P型隔离区；

设置在所述第一N型区内的第一P型重掺杂区，和设置在所述第一N型区内且位于所述第一P型重掺杂区两侧的第一N型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区均位于所述第一N型区顶部；

设置在所述第二N型区内且位于所述第二N型区顶部的第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区，且所述第二N型重掺杂区位于所述第二P型重掺杂区和第一N型区之间；

设置在所述恒流器件上表面的氧化层；

设置在所述第一P型重掺杂区远离所述第二N型区一侧的第一N型重掺杂区上表面和所述第一P型重掺杂区上表面的第二金属电极，所述第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区上的第二金属电极穿过所述氧化层并相互连接；

设置在所述第一P型重掺杂区靠近所述第二N型区一侧的第一N型重掺杂区上表面和所述第二N型重掺杂区上表面的第三金属电极，所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区上表面的第三金属电极穿过所述氧化层并相互连接；

设置在所述第二P型重掺杂区上表面且穿过所述氧化层的第四金属电极。

2.根据权利要求1所述的恒流器件，其特征在于，所述第一N型区和第二N型区均为N型扩散阱区时，所述P型隔离区为所述P型衬底、P型扩散阱区或复合结构，所述复合结构包括第三P型重掺杂区和位于所述第三P型重掺杂区下方且与第三P型重掺杂区连接的P型埋层，所述P型埋层下方位于所述P型衬底内部。

3.根据权利要求1所述的恒流器件，其特征在于，所述第一N型区和第二N型区均为N型外延层时，所述P型隔离区为P型扩散阱区或复合结构，所述复合结构为第三P型重掺杂区和位于所述第三P型重掺杂区下方且与第三P型重掺杂区连接的P型埋层，所述P型埋层下方位于所述P型衬底内部。

4.根据权利要求1至3任一项所述的恒流器件，其特征在于，所述第二金属电极向两侧延伸形成场板结构，所述第三金属电极向两侧延伸形成场板结构，所述场板结构位于所述第一N型区和第一P型重掺杂区的交界面上方、或位于所述第一N型区和第一N型重掺杂区的交界面上方、或位于所述第二N型区和第二N型重掺杂区的交界面上方。

5.根据权利要求1所述的恒流器件，其特征在于，所述P型衬底为轻掺杂类型。

6.一种恒流器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一：使用P型半导体材料制作P型衬底，通过外延或扩散的方式在所述P型衬底上层形成第一N型区和第二N型区，并在第一N型区和第二N型区之间设置分别与第一N型区和第二N型区相连的P型隔离区；

步骤二、在所述第一N型区和第二N型区上进行注入前预氧、窗口刻蚀、注入推结后刻蚀多余氧化层形成位于所述第一N型区上层的第一P型重掺杂区和位于所述第二N型区上层的第二P型重掺杂区；

步骤三、在所述第一N型区上进行注入前预氧、窗口刻蚀、注入后刻蚀多余氧化层形成位于所述第一N型区上层且分布在所述第一P型重掺杂区两侧的第一N型重掺杂区，在所述第二N型区上进行注入前预氧、窗口刻蚀、注入后刻蚀多余氧化层形成位于所述第二N型区上层且分布在所述第二P型重掺杂区与第一N型区之间的第二N型重掺杂区；

步骤四、在所述恒流器件上表面进行淀积前预氧，再淀积氧化层并致密；

步骤五、在所述第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区上方光刻欧姆孔，向所述欧姆孔淀积金属并刻蚀形成金属电极，将所述第一P型重掺杂区远离所述第二N型区一侧的第一N型重掺杂区上方的金属电极和所述第一P型重掺杂区上方的金属电极相连，将所述第一P型重掺杂区靠近所述第二N型区一侧的第一N型重掺杂区上方的金属电极和所述第二N型重掺杂区上方的金属电极相连；

步骤六、在所述P型衬底背面进行金属淀积形成金属电极。