[发明专利]一种显示面板及显示器在审
申请号: | 201910838662.9 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN112447763A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 蔡奇哲;樊苗苗 | 申请(专利权)人: | 咸阳彩虹光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张晓 |
地址: | 712000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示器 | ||
本发明公开了一种显示面板,包括:金属电极;钝化层,设置于所述金属电极之上,且所述钝化层上设置有贯通至所述金属电极的过孔;偶联层,设置于所述钝化层和通过所述过孔暴露的所述金属电极之上;透明电极层,设置于所述偶联层之上。本发明通过在金属电极、钝化层与透明电极层之间添加了一层偶联层,使得该偶联层与金属电极、钝化层与透明电极层之间均产生键结,从而增大了金属电极与透明电极层、钝化层与透明电极层之间的附着力,从而有效解决了因低温制程导致的钝化层疏松的问题,从而改善了钝化层阻挡水氧的效果,使得薄膜晶体管的阈值电压不会产生负向漂移的现象,从而改善了显示效果。
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示器。
背景技术
随着信息技术的发展,人们对显示装置的需求得到了快速的增长。为了满足这种需求,以液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)、等离子体显示器(PDP,PlasmaDisplay Panel)、有机发光显示装置(OLED,Organic Light Emitting Diode)为代表的显示装置都得到了迅猛地发展。
有机发光显示装置具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统液晶显示装置,被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视机等领域。有机电致发光器件与传统的液晶显示器不同,其无需背光源,直接在玻璃基板上设置非常薄的有机材料涂层,当有电流通过时,这些有机材料涂层就会发光。为了实现OLED显示器的全彩化,目前有三种技术,分别是三原色发光法、彩色滤光片(CF,Color Filter)法和色转换法,目前市场上的大尺寸OLED显示器主推的技术为白色有机发光二极管(WOLED,White Organic light Emitting Diode)搭配传统彩色滤光片,彩色滤光片法的原理是让发光层发出白光,再使用彩色滤光片将白色光变成R(Red)光、G(Green)光、B(Blue)光,以实现全彩显示。
但是,目前为了保护有机发光显示装置中的薄膜晶体管中较为脆弱的主动层,在制备完成薄膜晶体管后,会在低温条件下制备一层钝化层,用以保护薄膜晶体管的主动层,而低温条件下所形成的钝化层会影响水氧阻挡效果,从而影响显示效果。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种显示面板及显示器。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
一种显示面板,包括:
金属电极;
钝化层,设置于所述金属电极之上,且所述钝化层上设置有贯通至所述金属电极的过孔;
偶联层,设置于所述钝化层和通过所述过孔暴露的所述金属电极之上;
透明电极层,设置于所述偶联层之上。
在本发明的一个实施例中,所述金属电极包括源极和/或漏极。
在本发明的一个实施例中,所述钝化层的材料包括SiNx和/或SiOx。
在本发明的一个实施例中,所述偶联层包括硅烷偶联剂。
在本发明的一个实施例中,所述透明电极层包括ITO电极层。
在本发明的一个实施例中,还包括主动层,设置于所述金属电极和所述钝化层之下。
在本发明的一个实施例中,所述主动层的材料包括IGZO。
在本发明的一个实施例中,还包括基板、栅极、栅极绝缘层,所述栅极和所述栅极绝缘层依次设置于所述基板和所述主动层之间。
在本发明的一个实施例中,所述栅极绝缘层的材料包括SiO2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于咸阳彩虹光电科技有限公司,未经咸阳彩虹光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910838662.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板及显示器
- 下一篇:一种功能基板、液晶显示面板及显示器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的