[发明专利]晶片舟在审
申请号: | 201910839007.5 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880466A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 安德利斯·里查 | 申请(专利权)人: | 商先创国际股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张晓霞;臧建明 |
地址: | 德国布劳*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 | ||
1.一种晶片舟,用于容置晶片,所述晶片舟包括:
至少两个长形的容置元件,其中每个所述容置元件均由石英构成且具有横向于纵向延伸度的平行延伸的容置槽;
长形的支撑元件,其中每个容置元件均分配有至少一个所述支撑元件,其中所述支撑元件由不同于石英的第二材料构成,且其中在工作定向上,所述支撑元件沿重力方向至少部分地位于相应的所述容置元件下方;以及
两个端板,其中所述容置元件如此地布置和固定在所述端板之间,使得所述容置元件的所述容置槽彼此朝向。
2.根据权利要求1所述的晶片舟,其中所述容置元件与相应的所述支撑元件间隔很近、存在接触或者通过支点而间隔很近或相接触。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的晶片舟,其中所述支撑元件固定支承在所述端板上或者沿纵向松弛支承在所述端板上。
4.根据权利要求3所述的晶片舟,其中所述支撑元件以间隙支承在所述端板上。
5.根据权利要求1所述的晶片舟,其中所述第二材料具有高于石英的强度、形状稳定性和/或耐热性。
6.根据权利要求1所述的晶片舟,其中所述第二材料为碳化硅或硅渗入碳化硅。
7.根据权利要求1所述的晶片舟,其中所述容置元件和/或所述支撑元件具有大体矩形、大体圆形或大体半圆形的横截面。
8.根据权利要求1所述的晶片舟,其中所述容置元件的横截面另具有凹口,使得每个所述支撑元件均部分地在相应的所述容置元件的横截面的所述凹口中延伸。
9.根据权利要求1所述的晶片舟,其中每个支撑元件均位于相应的所述容置元件的背离所述容置槽的一侧上。
10.根据权利要求1所述的晶片舟,其中每个所述容置元件具有空心的横截面;且其中每个所述支撑元件均至少部分地在相应的所述容置元件内延伸。
11.根据权利要求1所述的晶片舟,其中所述支撑元件具有盘形横截面且至少部分地环扣相应的所述容置元件。
12.根据权利要求1所述的晶片舟,其中至少两个所述容置元件的所述容置槽与水平线成30°至60°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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