[发明专利]一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910839101.0 | 申请日： | 2019-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110499495A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李雁淮;关博远;张娜;宋忠孝;朱晓东;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;G21C3/07 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈翠兰<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层膜 基底 锆合金 镀覆 制备 物理气相沉积 水蒸气 磁控溅射法 安全保障 表面镀覆 使用寿命 氧化性能 调制比 防护膜 核泄漏 耐高温 压力管 总层数 管材 核工业 多层 合金 腐蚀 | ||
1.一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)对Zr-4合金基底进行机械打磨和抛光处理，并进行超声清洗、烘干处理；
2)将处理好的Zr-4合金基底置于磁控溅射的夹具中，在靶基座上分别装上Cr和Me靶，并调整靶间距；本底真空控制在～10-4Pa，利用氩气调节腔体的气压在10-3～10-2Pa范围内；采用直流溅射方式溅射得到Cr-Me多层膜。
2.根据权利要求1所述的一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法，其特征在于，所制备的Cr-Me多层膜包含Cr-Zr多层，Cr-Al多层，Cr-Mg多层，Cr-Nb多层4类多层膜。
3.根据权利要求1所述的一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中镀膜所采用的工艺是物理气相沉积中的磁控溅射法。
4.根据权利要求1所述的一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中Me靶材为纯度99.99％的Zr靶材、纯度99.99％的Al靶材、纯度99.99％的Mg靶材或纯度99.99％的Nb靶材4种靶材。
5.根据权利要求1所述的一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中所镀覆的Cr-Me多层膜的厚度调制比从1：(0.1-10)。
6.根据权利要求1所述的一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法，其特征在于，步骤2)中先在Zr基底上镀覆50-100nm的Cr沉积层，作为薄膜和基体之间的过渡层。
7.一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜，其特征在于，采用权利要求1至6中任一项所述的一种以Zr为基底的Cr-Me多层膜的制备方法制备得到，多层膜的总层数从2到100层；总厚度0.5μm到50μm。
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