[发明专利]网格掩墨喷涂治具及基于网格掩墨喷涂治具的切割加工方法在审
申请号: | 201910839413.1 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110482851A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 张锡强;王小路;詹勇军 | 申请(专利权)人: | 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 |
主分类号: | C03B33/08 | 分类号: | C03B33/08;C03C17/00;B23K26/38;B23K26/402 |
代理公司: | 51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李想<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子座 玻璃基片 环形框架 激光切割 喷涂治具 网状格栅 油墨喷涂 直接切割 网格 母座 装配 切割 生产和加工 激光散射 切割加工 装配空间 不均匀 均质 满版 喷涂 油墨 遮挡 激光 防护 | ||
本发明公开了一种网格掩墨喷涂治具及基于网格掩墨喷涂治具的切割加工方法,属于玻璃基片生产和加工的技术领域,包括母座,还包括上子座和下子座,所述上子座和下子座均设有网状格栅且两网状格栅对应重叠,所述母座设为环形框架,上子座和下子座均与环形框架相装配且上子座和下子座之间形成装配空间并用于装配玻璃基片,通过规避直接切割满版喷涂防护油墨的UTG基片,而采用遮挡基片进行油墨喷涂并形成激光切割道,随后激光沿着激光切割道的区域进行切割,以实现直接切割均质的UTG基片,期间不会出现因为油墨喷涂不均匀造成的激光散射而引发相应的切割缺陷。
技术领域
本发明属于玻璃基片生产和加工的技术领域,具体而言,涉及一种网格掩墨喷涂治具及基于网格掩墨喷涂治具的切割加工方法。
背景技术
超薄玻璃基片(UTG基片)作为可折叠盖板的重要组成部分,为实现更小或甚至R=2mm的弯折半径的效果,超薄基片自身质量是关键。尤其是UTG基片被切割成特定尺寸后,其边部的特殊处理,即需要去除因切割产生的崩边、微裂纹等缺陷,从而避免基片在弯折的时候由于微裂纹等造成玻璃的破碎。总体而言,需要解决两个方面的问题:1)采取何种切割方式以获得相对平直的边部质量;2)采取抛光等方式去除边部缺陷。
目前,轮刀式切割局限于直线切割,在进行产品异形(导R角)切割方面仍然面临困难,再者未经化学强化处理的100um左右的UTG基片非常易碎,它难以承受轮刀切割时的机械压力出现高比例碎片,或者产生非期望的基片边部的明显崩片、缺角等缺陷。这些缺陷对于后续的边部抛光是非常致命的缺陷,可能直接导致基片的报废。因此,寻找合适的切割方式获得边部平直的基片是重要的工作组成。
相比而言,激光非机械力作用的切割能够获得更好的边部切割效果而可能成为未来超薄基片切割的主流方式,激光切割是指将激光束照射在工件表面时释放的能量使工件融化并蒸发,以达到切割分片的目的。激光切割没有对玻璃表面施加压力,所以不会造成玻璃基材破片,同时可以做各种各样异形切割。
另一方面,UTG基片在加工和转运过程极易易发生玻璃表面划伤或相互挤压撑伤等质量缺陷,目前,采取在玻璃双表面喷涂防护油墨方式降低或避免上述问题的发生,并形成了UTG基片喷涂防护油墨-切割-边部抛光-化学强化的加工过程。最终在经过化学强化处理的UTG基片上涂布功能膜涂形成可折叠的盖板。
为此,通常的实施方式为:在UTG超薄基片喷涂防护油墨后进行激光切割或者期望的尺寸进行后续的加工。然而,UTG基片表面均匀喷涂油墨是一项非常艰巨的任务,尤其要消除相关的气泡、确保膜层厚薄均匀、颜色均匀、喷涂环境洁净等是非常困难的。同时,也由于激光切割道上常常遇见喷涂不均匀的情况而导致激光在该区域出现散射的问题,最终导致激光切割玻璃不彻底,分片困难或严重崩边等缺陷,如图1、图2所示,图中圆圈内为激光切割道遇到油墨喷涂不均匀的地方引起激光被散射,从而导致玻璃切割不彻底;如图3、图4所示,为喷涂油墨后切割不彻底造成的大崩边等缺陷,达到10um左右;因此,上述缺陷严重影响后续的边部抛光制程。
发明内容
鉴于此,为了解决现有技术存在的上述问题,本发明的目的在于提供一种网格掩墨喷涂治具及基于网格掩墨喷涂治具的切割加工方法通过规避直接切割满版喷涂防护油墨的UTG基片,而采用遮挡基片进行油墨喷涂并形成激光切割道,随后激光沿着激光切割道的区域进行切割,以实现直接切割均质的UTG基片,期间不会出现因为油墨喷涂不均匀造成的激光散射而引发相应的切割缺陷。
本发明所采用的技术方案为:一种网格掩墨喷涂治具,包括母座,还包括上子座和下子座,所述上子座和下子座均设有网状格栅且两网状格栅对应重叠,所述母座设为环形框架,上子座和下子座均与环形框架相装配且上子座和下子座之间形成装配空间,并用于装配玻璃基片。
进一步地,所述上子座通过定位销装配于所述环形框架的端部所在表面上,以实现对上子座的稳定装配。
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