[发明专利]一种提高温度差的光热电转换器件

权利要求书

1.一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：包括基底层（1），所述基底层（1）分为左部（1-1）、右部（1-2），并且左部（1-1）的高度高于右部（1-2）的高度；所述右部（1-2）的上方设置有第一电极层（2），所述左部（1-1）的上表面、左部（1-1）与右部（1-2）相临的侧表面、第一电极层（2）的上表面均设置有热电转换层（3），所述热电转换层（3）位于第一电极层（2）的部分的上表面设置有阻挡层（4），所述热电转换层（3）位于左部（1-1）的部分的上表面、所述阻挡层（4）的上表面均设置有第二电极层（5），所述第二电极层（5）的上方设置有二硫化钼层（6），所述二硫化钼层（6）的上方设置有贵金属颗粒层（7），所述金属颗粒层（7）的上表面设置有第三电极层（8）。

2.如权利要求1所述的一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：所述热电转换层（3）位于左部（1-1）的部分的上表面与所述阻挡层（4）的上表面高度相同。

3.如权利要求1所述的一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：所述二硫化钼层（6）的上表面设置有多个孔洞，所述贵金属颗粒层（7）的金属颗粒置于孔洞内。

4.如权利要求1所述的一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：所述第一电极层（2）、第二电极层（5）、第三电极层（8）均为石墨烯制成。

5.如权利要求4所述的一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：所述第二电极层（5）上设置有第二孔洞。

6.如权利要求5所述的一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：所述第一电极层（2）由多个相互间隔的导电金属条制成。

7.如权利要求1所述的一种提高温度差的光热电转换器件，其特征在于：所述贵金属颗粒层（7）的金属颗粒为纳米金属颗粒。