[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

电容元件和晶体管，

所述晶体管具有：第一氧化物半导体膜、在所述第一氧化物半导体膜的上方配置的第一栅极绝缘膜、在所述第一栅极绝缘膜的上方配置的第一栅电极、在所述第一氧化物半导体膜的下方配置的第二栅极绝缘膜、在所述第二栅极绝缘膜的下方配置的第二栅电极、与所述第一氧化物半导体膜电连接的源电极、以及与所述第一氧化物半导体膜电连接的漏电极，

所述电容元件具有：第二氧化物半导体膜、以及具有与所述第二氧化物半导体膜重叠的区域的具有透光性的导电性材料，

所述电容元件具有不与所述第一栅极绝缘膜重叠的区域，

所述具有透光性的导电性材料与所述源电极或所述漏电极中的一个电连接，

在所述晶体管的截面图中，所述第二栅电极具有与所述第一氧化物半导体膜的整体重叠的区域，

所述第一氧化物半导体膜具有：沟道形成区域、位于所述沟道形成区域的外侧的第一区域、以及位于所述第一区域的外侧的第二区域，

所述第一区域与所述第一栅极绝缘膜重叠，且不与所述第一栅电极重叠，

所述第二区域与所述第一栅极绝缘膜、所述第一栅电极、所述源电极及所述漏电极均不重叠，

所述第一区域的载流子密度及所述第二区域的载流子密度分别比所述沟道形成区域的载流子密度高。

2.一种半导体装置，包括：

电容元件和晶体管，

所述晶体管具有：第一氧化物半导体膜、在所述第一氧化物半导体膜的上方配置的第一栅极绝缘膜、在所述第一栅极绝缘膜的上方配置的第一栅电极、在所述第一氧化物半导体膜的下方配置的第二栅极绝缘膜、在所述第二栅极绝缘膜的下方配置的第二栅电极、与所述第一氧化物半导体膜电连接的源电极、以及与所述第一氧化物半导体膜电连接的漏电极，

所述电容元件具有：第二氧化物半导体膜、以及具有与所述第二氧化物半导体膜重叠的区域的具有透光性的导电性材料，

所述电容元件具有不与所述第一栅极绝缘膜重叠的区域，

所述具有透光性的导电性材料与所述源电极或所述漏电极中的一个电连接，

在所述晶体管的截面图中，所述第二栅电极具有与所述第一氧化物半导体膜的整体重叠的区域，

所述第一氧化物半导体膜具有：沟道形成区域、位于所述沟道形成区域的外侧的第一区域、以及位于所述第一区域的外侧的第二区域，

所述第一区域与所述第一栅极绝缘膜重叠，且不与所述第一栅电极重叠，

所述第二区域与所述第一栅极绝缘膜、所述第一栅电极、所述源电极及所述漏电极均不重叠，

所述第一区域的载流子密度及所述第二区域的载流子密度分别比所述沟道形成区域的载流子密度高，

所述第二区域的载流子密度比所述第一区域的载流子密度高。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，

所述第一氧化物半导体膜与所述第二氧化物半导体膜分离。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，

所述第一氧化物半导体膜具有In、Ga以及Zn，

所述第二氧化物半导体膜具有In、Ga以及Zn。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，

所述第二氧化物半导体膜由与所述第一氧化物半导体膜同一层且同一材料构成。