[发明专利]一种红外探测器接触孔结构及其制作方法

权利要求书

1.一种红外探测器接触孔结构，其特征在于，包括：位于牺牲层上部的具有一预设深度的支撑和电连接孔沟槽和从所述支撑和电连接孔沟槽向下延伸的和多个接触小孔，所述多个接触小孔的顶部与所述支撑和电连接孔沟槽的底部相连通，所述多个接触小孔的底部与器件层的电连接结构相接触；所述多个接触小孔的关键尺寸等于所述支撑和电连接孔沟槽深度的2倍；其中，所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽填充有第一金属，填充第一金属采用保形CVD工艺进行；所述支撑和电连接孔沟槽中的第一金属的表面与外部所述牺牲层的上表面平齐；其中，所述接触孔的孔径小于所述支撑和电连接孔沟槽的孔径，所述预设深度小于所述牺牲层的厚度。

2.根据权利要求1所述的红外探测器接触孔结构，其特征在于，所述第一金属的表面与所述牺牲层的表面具有用于电连接的第二金属层。

3.根据权利要求1或2所述的红外探测器接触孔结构，其特征在于，所述多个接触小孔均匀分布在所述支撑和电连接孔沟槽的底部下方；或所述多个接触小孔集中围绕在所述支撑和电连接孔沟槽的底部中心下方；或所述多个接触小孔均匀分布在所述支撑和电连接孔沟槽的底部下侧壁下方且至少有一个所述接触小孔位于所述支撑和电连接孔沟槽的底部中心下方。

4.一种红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：在器件层上形成牺牲层，通过刻蚀工艺在所述的牺牲层内形成一预设深度的支撑和电连接孔沟槽以及多个向下延伸的接触小孔，且多个所述接触小孔的底部与所述器件层的电连接结构相接触；其中，所述接触孔的孔径小于所述支撑和电连接孔沟槽的孔径，所述预设深度小于所述牺牲层的厚度；所述多个接触小孔的关键尺寸等于所述支撑和电连接孔沟槽深度的2倍；

步骤S2：采用保形CVD工艺，将第一金属填充在所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽内，直到与所述牺牲层表面平齐，平坦化所述牺牲层的表面。

5.根据权利要求4所述的红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，还包括：

步骤S3：图形化去除所述支撑和电连接孔沟槽周边的第一金属，在所述牺牲层的表面和所述支撑和电连接孔沟槽上生长一层第二金属薄膜；

步骤S4：平坦化所述第二金属薄膜。

6.根据权利要求5所述的红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属的材料和所述第二金属的材料相同。

7.根据权利要求4所述的红外探测器接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述支撑和电连接孔沟槽和所述多个接触小孔是通过大马士革工艺形成。