[发明专利]缺陷检测方法和装置

说明书

本发明提供了一种缺陷检测方法和装置，该方法包括：获取待检测区域内的可疑缺陷点；在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；对所述检测窗口实施电子束检测。本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且较少数量的检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及一种缺陷检测方法和装置。

背景技术

大规模集成电路制造技术，通过蚀刻等技术在单晶硅晶圆表面制造电路结构，但是随着芯片制程不断缩小，芯片制造过程中的缺陷点检测愈加不易，同时电路结构更加密集，缺陷点对与晶圆生产良率的影响越来越大。

电子束检测工具(Electron beam inspection tool)，通过聚焦电子束到被检测体(本专利中指晶圆)表面，并收集电子束与被检测体碰撞后产生的二次电子(secondaryelectron)和背散射电子(backscattered electron)，将电信号转换成图像信号，得到被检测体表面微观图像，图像被用来分析是否存在缺陷以及缺陷的类型。其特点是分辨率高，检测效率慢。电子束检测工具单次检测窗口面积较小，其大小由设备视场(field of view,FOV)决定，通常为一个正方形区域，边长在0.1微米至100微米不等。晶圆被固定在设备平台上，通过移动平台位置，改变检测窗口与晶圆间的相对位置以检测晶圆表面的不同位置。对于给定晶圆表面可疑缺陷点坐标，需要保证所有可疑缺陷点被若干个检测窗口区域所覆盖。

获得晶圆表面可疑缺陷位置的若干种方法。(1)关键尺寸(critical dimension)法，对于晶圆表面电路结构中关键尺寸低于特定值的部位设为可疑缺陷位置。(2)根据先前的光学设备检测结果获得可疑缺陷位置坐标。(3)根据黄光规则检查(lithographic rulecheck)或者设计规则检查(design rule check)的结果获得可疑缺陷位置坐标。

现有技术在检测可疑缺陷点时，需要采用平铺的方式设置检测窗口才能保证所有可疑缺陷点都能检测到。在检测时每个检测窗口都需要时间、且窗口之间移动也需要时间，因此，检测窗口越多耗费的时间越长。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种缺陷检测方法和装置，以解决现有技术中检测可疑缺陷点耗费时间比较长的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种缺陷检测方法，所述方法包括：

获取待检测区域内的可疑缺陷点；在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；对所述检测窗口实施电子束检测。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种缺陷检测装置，所述装置包括：获取单元，用于获取待检测区域内的可疑缺陷点；设置单元，用于在所述待检测区域内设置至少一个检测窗口，其中，所述检测窗口覆盖所述待检测区域内的所有可疑缺陷点、且所述检测窗口的数量最少；检测单元，用于对所述检测窗口实施电子束检测。

应用本发明的技术方案，本实施例采用比平铺检测窗口设置更少数量的检测窗口，且较少数量的检测窗口能够覆盖全部可疑缺陷点，检测窗口越少采用电子束检测缺陷点所耗费的时间越少，解决了现有技术采用平铺设置检测窗口耗费时间较多的技术问题，达到了减少耗费时间的技术方案。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本发明的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：