[发明专利]一种用于晶体生长的坩埚底座装置

说明书

本发明提供一种用于晶体生长的坩埚底座装置，包括:底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。根据本发明提供的一种用于晶体生长的坩埚底座装置，通过使底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触，减少坩埚底座装置与坩埚的接触面积，从而减少了通过固固传热的方式散失的热量，提高了热场的保温性，减少电能的消耗，延长了设备的使用寿命，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及晶体生长技术领域，具体而言涉及一种用于晶体生长的坩埚底座装置。

背景技术

随着集成电路(Integrated Circuit，IC)产业的迅猛发展，器件制造商对IC级硅单晶材料提出了更加严格的要求，而大直径单晶硅是制备器件所必须的衬底材料。提拉法(Czochralski，CZ法)是现有技术中由熔体生长单晶的一项最主要的方法，其具体做法是将构成晶体的原料放在坩埚中加热熔化，在熔体表面接籽晶提拉熔体，在受控条件下，使籽晶和熔体在交界面上不断进行原子或分子的重新排列，随降温逐渐凝固而生长出晶体。

晶体生长过程需要大量的热量提供，因此如果热场的保温性能越差，那么要维持晶体的正常稳定生长则需要给其提供大量热量，从而消耗更多电能并增加生产成本。现有的坩埚及其底座大多采用石墨材料，石墨材料的导热系数相对较高，并且坩埚及其底座的接触面积较大，导致大量的热量通过固固传热的方式从坩埚轴导出，引起大量的热散失。

因此，有必要提出一种新的用于晶体生长的坩埚底座装置，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供一种用于晶体生长的坩埚底座装置，包括：

底座本体，所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触；

连接机构，配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。

进一步，所述底座本体包括基座和突出部分，所述突出部分的上表面与所述坩埚相接触。

进一步，所述突出部分包括一个或多个圆环形或多边形突出结构。

进一步，所述突出部分包括多个凸起的圆柱。

进一步，所述底座本体包括外部壳体部分和内部填充部分。

进一步，所述外部壳体部分的构成材料的导热系数低于所述坩埚的构成材料的导热系数，所述外部壳体部分的构成材料包括连续纤维复合材料，所述坩埚的构成材料包括石墨。

进一步，所述内部填充部分的构成材料的导热系数低于所述外部壳体部分的构成材料的导热系数，所述内部填充部分包括石墨硬毡和/或石墨软毡。

进一步，所述突出部分上设置有连接孔，所述连接机构包括与所述连接孔配合的螺栓。

进一步，所述连接机构的构成材料包括连续纤维复合材料或石墨。

根据本发明提供的一种用于晶体生长的坩埚底座装置，通过使底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触，减少坩埚底座装置与坩埚的接触面积，从而减少了通过固固传热的方式散失的热量，提高了热场的保温性，减少电能的消耗，延长了设备的使用寿命，降低了生产成本。

附图说明

通过结合附图对本发明实施例进行更详细的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。

附图中：