[发明专利]考虑多输入切换的操作时序分析装置和方法在审
申请号: | 201910842116.2 | 申请日: | 2019-09-06 |
公开(公告)号: | CN111563355A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 金汶洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F30/3312 | 分类号: | G06F30/3312;G06F30/367;G06F30/398;G06F119/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张婧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 考虑 输入 切换 操作 时序 分析 装置 方法 | ||
1.一种用于半导体器件的操作时序分析的装置,包括考虑多输入切换(MIS)效应的MIS元件,该装置包括:
时序输入单元,其为每个MIS元件生成MIS模型;以及
MIS分析器,其接收用于每个MIS元件的时序数据,并基于MIS模型和用于每个MIS元件的时序数据动态地计算MIS系数。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述时序输入单元加载用于半导体器件的时序数据和用于半导体器件的设计列表,并基于时序数据和设计列表生成MIS模型。
3.如权利要求1所述的装置,其中,所述时序输入单元使用MIS仿真和单输入切换(SIS)仿真的结果生成训练集,基于训练集生成用于MIS的片上变化(OCV)西格玛的预测模型函数,并基于用于MIS的OCV西格玛的预测模型函数生成MIS变化模型。
4.如权利要求3所述的装置,其中,所述MIS分析器基于用于MIS效应的OCV西格玛的预测模型函数计算MIS延迟与在不考虑MIS效应下的原始延迟的比率,并且基于MIS延迟与原始延迟的比率生成动态MIS系数。
5.如权利要求1所述的装置,其中,所述时序数据包括到达时间数据、转换数据、加载数据和延迟数据中的至少一个。
6.如权利要求1所述的装置,其中所述时序输入单元包括时序库数据库(DB),在其中每个MIS元件的功能属性被存储,并且所述MIS分析器分析每个MIS元件的功能属性以获取其延迟因MIS效应而被改变的MIS时序路径。
7.如权利要求6所述的装置,其中所述MIS分析器生成MIS时序信息,该MIS时序信息指示用于MIS元件的多个输入引脚当中具有最小时序的输入引脚。
8.一种用于半导体器件的操作时序分析的装置,包括考虑多输入切换(MIS)效应的MIS元件,该装置包括:
静态时序分析(STA)模块,其生成每个MIS元件的时序数据而不考虑MIS效应;以及
MIS分析器,其接收每个MIS元件的MIS模型,并基于MIS模型和时序数据动态地计算MIS系数,
其中,所述STA模块基于MIS系数执行考虑MIS效应的STA。
9.如权利要求8所述的装置,其中,所述STA模块获得与MIS元件相关联的多个输入引脚中的每一个的MIS时序路径,分析MIS时序路径的到达窗口,并当所述多个输入引脚的到达窗口彼此重叠时通过应用MIS系数来计算由于MIS效应引起的时序变化。
10.如权利要求8所述的装置,其中,所述每个MIS元件的MIS模型包括基于用于MIS的OCV西格玛的预测模型函数的MIS变化模型,并且所述STA模块基于MIS变化模型执行考虑MIS效应的STA。
11.一种考虑多输入切换(MIS)效应的包括MIS元件的半导体器件的操作时序分析方法,该方法包括:
为每个MIS元件生成MIS模型;
为每个MIS元件生成时序数据而不考虑MIS效应;
基于MIS模型和时序数据计算每个MIS元件的MIS系数;以及
基于MIS系数为每个MIS元件执行考虑MIS效应的STA。
12.如权利要求11所述的方法,其中为每个MIS元件生成MIS模型包括:
加载用于半导体器件的时序数据和用于半导体器件的设计列表;以及
基于加载的时序数据和设计列表生成MIS模型。
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