[发明专利]超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统

说明书

本发明公开了一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部法兰刀口密封连接，电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部法兰刀口密封连接。本发明公开的一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。

技术领域

本发明属于样品制备技术领域，具体涉及一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统。

背景技术

在材料科学和凝聚态物理研究中，输运特性是材料的重要性质。虽然目前薄膜制备技术的发展已经相对比较成熟，但由于输运测量的特殊性，需要在特殊形状样品表面指定位置生长电极，因此并没有专门生产用于测试材料输运特性的薄膜样品的设备，样品制备困难给材料输运特性的研究带来很大困扰，而超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品，解决输运测量样品制备困难的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其可以对生长好的薄膜样品进行特殊形状的刻蚀加工并原位生长电极获得用于测量材料输运特性的特殊样品。

本发明的主要目的在于提供一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其把薄膜样品及掩膜版装入进样室内的样品储藏架，利用传样杆转移到电极生长室内的电极制备机构上。

本发明的主要目的在于提供一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，其利用电极制备机构的位置调节机构将其调整到生长位置，同时也是观测系统的中心位置。

为达到以上目的，本发明提供一种超高真空原位薄膜刻蚀电极生长系统，包括：

快速进样室，所述快速进样室包括第一传样杆、高真空腔体部、第一超高真空插板阀，所述第一传样杆与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接；

电极生长室，所述电极生长室包括超高真空腔体部、第一真空获得系统、第一真空测量系统，所述快速进样室的第一超高真空插板阀与所述电极生长室的超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述超高真空腔体部远离所述第一超高真空插板阀的一端与所述第一真空获得系统刀口法兰密封连接，所述第一真空测量系统安装于所述超高真空腔体部的侧端并且与所述超高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述第一真空获得系统用于获得真空状态；

支架系统和电控系统，所述快速进样室和所述电极生长室固定安装于所述支架系统的上端，所述电控系统位于所述支架系统的侧端，所述电控系统包括控制电源。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述快速进样室还包括第二真空获得系统、第二真空测量系统、快开门、第二超高真空插板阀，所述第二超高真空插板阀位于所述高真空腔体部的下端并且与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述第二真空获得系统位于所述第二超高真空插板阀的下端并与所述第二超高真空插板阀刀口法兰密封连接，所述第二真空测量系统位于所述高真空腔体部的侧端并且与所述高真空腔体部刀口法兰密封连接，所述快开门位于所述高真空腔体部的上端并且通过橡胶圈与所述高真空腔体密封连接。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述电极生长室还包括电极制备机构，所述电极制备机构部分内置于所述超高真空腔体部，所述电极制备机构与所述超高真空腔体部通过刀口法兰密封连接，所述电极制备机构包括精密二维掩膜版驱动机构、样品固定台、掩膜版、电极制备机构位置调节机构。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，所述电极生长室还包括观测系统，所述观测系统包括第一长焦显微镜、第二长焦显微镜、反光镜、反光镜位置调节机构，其中：

所述第一长焦显微镜和所述第二长焦显微镜分别位于所述超高真空腔体部的侧端，所述第一长焦显微镜和所述第二长焦显微镜用于观测；