[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

第一步骤：初始化刻蚀机台的刻蚀参数；

第二步骤：根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式，并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率，其中，所述工艺程式包括：刻蚀工艺程式、第一暖机工艺程式及第二暖机工艺程式；

第三步骤：获取刻蚀机台的实时刻蚀速率；

第四步骤：比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小；

第五步骤：若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率，调用第一暖机工艺程式以执行第一暖机工艺，并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率，调用第二暖机工艺程式以执行第二暖机工艺，并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率，调用所述刻蚀工艺程式以执行刻蚀工艺。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述第二暖机工艺中，刻蚀控片表面的硅以改变刻蚀腔室内的环境参数和晶圆接触偏压，从而减小所述实时刻蚀速率，其中，刻蚀腔室内的所述环境参数包括：腔体气压和侧壁淀积物成分。

3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述第一暖机工艺中，刻蚀控片表面的氮化硅使得生成的聚合物沉积在刻蚀腔室的内壁表面以改变刻蚀腔室中的等离子体密度，从而增大所述实时刻蚀速率。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括共享源线的闪存器件的隔离结构刻蚀工艺及共享字线的闪存器件的侧墙结构刻蚀工艺。

5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述共享源线的闪存器件的隔离结构刻蚀工艺中，刻蚀位于字线与位线之间的氮化硅以形成共享源线的闪存器件的隔离结构。

6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述共享源线的闪存器件的隔离结构刻蚀工艺中，所述需求刻蚀速率为

7.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述共享源线的闪存器件的隔离结构在宽度上的关键尺寸为0.12um。

8.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述共享字线的闪存器件的侧墙结构刻蚀工艺中，刻蚀位于控制栅与字线之间的氧化硅以形成共享字线的闪存器件的侧墙结构。

9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述共享字线的闪存器件的侧墙结构刻蚀工艺中，所述需求刻蚀速率为

10.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，所述共享字线的闪存器件的侧墙结构在宽度上的关键尺寸为90nm。