[发明专利]一种基于黑磷纳米片的多功能反应平台及其构建方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910843187.4 申请日: 2019-09-06
公开(公告)号: CN110844895A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 张斌;曹亚明;颜青;樊菲;陈彧 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: C01B25/00 分类号: C01B25/00;C08G73/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 代理人: 任艳霞
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 黑磷 纳米 多功能 反应 平台 及其 构建 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种基于黑磷纳米片的多功能反应平台,其特征在于:结构式如下式PDA-cappedBP所示:

2.一种权利要求1所述一种基于黑磷纳米片的多功能反应平台的构建方法,其特征在于:包括如下步骤:

一、少层二维黑磷分散液及固体黑磷薄膜的制备:

在充满氩气氛围的手套箱中称取黑磷晶体,研磨;研磨后所得的黑磷粉末用经氩气鼓泡后的NMP溶剂覆盖,转移至Schlenk瓶中取出手套箱;反应体系在水浴超声机中不间断超声,过程中温度控制在5℃以下;将所得的分散体系离心,然后提取含有剥离黑磷纳米片的上层棕黄色分散液;

将含有高浓度少层二维黑磷纳米片的分散液滴加到真空过滤膜上,减压抽除溶剂后在滤膜上形成一层黑磷纳米片薄膜;将上述真空滤膜倒扣在拥有一定粘度的ITO/PET柔性基底表面,通过压片机向真空滤膜和ITO/PET柔性基底结合部分施加压力;压片完成后将ITO/PET柔性基底撕开,通过固相转移法能在PET柔性基底表面形成一层致密均匀的二维黑磷薄膜;

二、基于黑磷纳米片的多功能反应平台的构建,包括如下步骤:

1)Tris-HCl缓冲液的配置;

2)将盐酸多巴胺固体粉末,超声溶解于Tris-HCl缓冲液中,超声至溶液微微泛黄;

3)将上述载有黑磷薄膜的PET基底,浸泡在装有Tris-HCl缓冲液的烧杯中;采用摇床进行搅拌的过程中,将溶解有多巴胺的Tris-HCl缓冲溶液缓慢滴加至烧杯中;上述反应体系在室温大气环境下剧烈搅拌反应;

4)表面成膜修饰反应完成后,用大量去离子水和乙醇冲洗PET基底表面,以除去未成膜的聚多巴胺颗粒以及残余的三羟甲基氨基甲烷;所得多功能反应平台在真空烘箱中干燥。

3.一种权利要求2所述一种基于黑磷纳米片的多功能反应平台的构建方法,其特征在于:包括如下步骤:

一、少层二维黑磷分散液及固体黑磷薄膜的制备,包括如下步骤:

在充满氩气氛围的手套箱中称取100mg黑磷晶体,在玛瑙研钵中人工研磨30min;研磨后所得的黑磷粉末用经氩气鼓泡30min后的100mLNMP溶剂覆盖,用胶头滴管转移至Schlenk瓶中取出手套箱;反应体系在功率为300W的水浴超声机中不间断超声6h,过程中频繁更换冰袋将水浴温度控制在5℃以下;将所得的分散体系在2000rpm转速下离心120min,然后小心地提取含有剥离黑磷纳米片的上层棕黄色分散液,将该分散液在8000-10000rpm下离心120min收集下层黑磷纳米片沉淀。

将含有高浓度少层二维黑磷纳米片的分散液滴加到真空过滤膜(孔径200nm)上,减压抽除溶剂后在滤膜上形成一层黑磷纳米片薄膜;将上述真空滤膜倒扣在ITO/PET柔性基底表面,通过压片机向真空滤膜和ITO/PET柔性基底结合部分施加10MPa的压力,持续15min;压片完成后将ITO/PET柔性基底撕开,使其在PET柔性基底表面形成一层致密均匀的二维黑磷薄膜;

二、基于黑磷纳米片的多功能反应平台的构建,包括如下步骤:

1)Tris-HCl缓冲液的配置称取1.21g三羟甲基氨基甲烷溶于800mL去离子水中,滴加盐酸直到溶液PH=8.5;

2)称取200mg盐酸多巴胺固体粉末,超声溶解在120mL的Tris-HCl缓冲液(10mM,pH=8.5)中,超声至溶液微微泛黄;

3)将上述载有黑磷薄膜的PET基底剪成1cm×1cm尺寸,浸泡在装有100mLTris-HCl缓冲液的烧杯中(容积为500mL);为了避免反应过程中搅拌子对黑磷薄膜的刮伤,采用摇床作用来代替搅拌器的剧烈搅拌;摇床在以400rpm的速度进行搅拌的过程中,将溶解有多巴胺的Tris-HCl缓冲溶液缓慢滴加至烧杯中(30min内滴完)。上述反应体系在室温大气环境下剧烈搅拌反应12h。

4)表面成膜修饰反应完成后,用大量去离子水和乙醇冲洗PET基底表面,以除去未成膜的聚多巴胺颗粒以及残余的三羟甲基氨基甲烷;所得多功能反应平台在真空烘箱中40℃干燥12h。

4.一种权利要求2或3所述一种基于黑磷纳米片的多功能反应平台的构建方法,其特征在于:步骤一中所得薄膜在真空干燥箱中60℃干燥除去残余有机溶剂。

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