[发明专利]降低离子束抛光光学元件表面污染的方法有效
| 申请号： | 201910844111.3 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110712094B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王大森;李晓静;聂凤明;裴宁;郭海林;张旭 | 申请（专利权）人： | 中国兵器科学研究院宁波分院 |
| 主分类号： | B24B13/00 | 分类号： | B24B13/00;B24B1/00 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 袁忠卫;张琳琳 |
| 地址： | 315103 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 离子束 抛光 光学 元件 表面 污染 方法 | ||
1.一种降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于包括以下步骤
1)将离子束抛光设备中用以对光学元件进行夹持的夹具的外侧采用高温胶带进行贴封处理，所述高温胶带采用棕色耐高温的胶带，所述高温胶带的厚度为0.03～0.06mm；
2)将光学元件安装在夹具后，对光学元件和夹具的表面进行清洁处理，随后放入离子束抛光设备的副腔室内，最后将光学元件送至离子束抛光设备的主腔室内；
3)安装离子源，离子源的栅网采用非金属栅网；
4)开启离子束抛光设备，启动离子源，使用法拉第杯测量离子源发出的离子束电流，待离子源运行一定设定时间t稳定后，对光学元件进行离子束抛光。
2.根据权利要求1所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：该高温胶带的耐温温度为270°～290°。
3.根据权利要求2所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：所述高温胶带的耐高温的温度为280°。
4.根据权利要求1所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：所述高温胶带的厚度为0.05mm。
5.根据权利要求2所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：所述高温胶带为聚酰亚胺薄膜材料制成的胶带。
6.根据权利要求1所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：运行时间t为1～1.5h，在离子源运动1h～1.5h稳定后对光学元件进行离子束抛光。
7.根据权利要求1所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：所述栅网采用C材质制成的栅网。
8.根据权利要求7所述的降低离子束抛光光学元件表面污染的方法，其特征在于：所述栅网采用溅射率为0.1的石墨栅网。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器科学研究院宁波分院，未经中国兵器科学研究院宁波分院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910844111.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
