[发明专利]一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法

说明书

本发明公开了一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法，属于植物栽培技术领域。本发明公开的栽培方法，以单芋为单位，浅挖窝高堆土，四周开沟，斩断了病害魔芋与健康魔芋的病害传播；采取精准施肥，提高肥料利用率；减少了农药、肥料的投入，降低了魔芋病害发生，提高了魔芋膨大系数，同时产量提高，收益增加。

技术领域

本发明涉及植物栽培技术领域，更具体的说是涉及一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法。

背景技术

魔芋是天南星科魔芋属多年生草本植物，含有十六种氨基酸，十种矿物质微量元素和丰富的食物纤维，其在经过粗加工以后，再进行精加工，价值大大提高，而且具有独特的成分和性质。魔芋是唯一能大量提供葡聚糖的经济作物，其产品广泛应用于食品、化工、医疗、保健、美容等行业，产品供不应求。

魔芋为喜阴、喜湿、怕热、不耐寒、怕积水的作物，对生长环境条件的要求较高，适宜种植的区域极为有限，生产上容易感染病害，尤其是雨水利于魔芋软腐病的传播，一但一株感病，就有可能造成整个田块感病，导致减产或者绝收；同时魔芋膨大系数小，产量低。

因此，提供一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法，增加魔芋的膨大系数和降低魔芋相互之间的病害感染，提高魔芋产量，增加收益是本领域技术人员亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法，增加了魔芋的膨大系数，降低了魔芋相互之间的病害感染，提高了魔芋产量，增加了收益。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法，以单一种芋为单位，浅挖窝高堆土，四周开沟种植，采用种芋大小为400-500g。

进一步，一种魔芋种芋单芋高堆的栽培方法，具体步骤如下：

(1)品种选择：选择形态周正，无破裂、无疤痕、无霉烂和无病虫害的花魔芋品种作为种芋；

(2)挖窝施肥高堆土(以单芋为单位，浅挖窝高堆土，四周开沟)：魔芋播种前25-30天，开挖直径18-20cm、深度8-10cm的浅坑；窝里施有机肥0.5kg，或者施用农家肥1kg、高钾复合肥(N-P-K＝15-5-25)(硝硫基型)0.1kg；以窝心为中心四周开挖土，回填和堆成底部直径为70-80cm，上部直径为35-40cm，高为28-30cm的土堆；土堆与土堆之间底部相距8-10cm的沟；

(3)播种：魔芋播种时，扒开土堆，将种芋球茎侧斜放置，顶芽朝向同一方向，平地向南斜放，坡地向坡顶方向斜放，倾斜夹角为45°；扒开土堆以即将见到肥料为主，种芋与肥料一定要分开；覆土，种芋顶部土厚为14-15cm；

(4)追肥：在7月下旬至8月上旬的魔芋膨大期，每株施硫酸钾复合肥0.05kg。

所述花魔芋品种为在当地已种植多年，能够较好适应当地生态条件的包括汉魔1号、靖江花魔芋等在内的花魔芋品种。

进一步，所述追肥的具体操作为：沿魔芋植株中心外延50-60cm均匀撒施一周，从沟里挖土覆盖。采用该技术方案，一能清理水沟，利于雨水流动，不发生湿害；二是施肥后用土覆盖，减少肥料浪费；三是施肥位置在种芋外沿，利于魔芋根系吸收，提高肥料利用率。

本发明的栽培方法主要适宜大魔芋种生产商品魔芋和魔芋有性繁殖，尤其在降雨量比较多，湿度比较大的秦巴山区效果最为明显。