[发明专利]一种银纳米线导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，有机硅树脂低聚物的制备：取聚合物单体加入到去离子水中，进行磁力搅拌，发生水解反应；将水解后的产物进行缩聚反应，得到有机硅树脂低聚物；

步骤2，银纳米线墨水的配制：将有机硅树脂低聚物加入到银纳米线分散液中，混合均匀，得到银纳米线墨水；所述银纳米线分散液是指银纳米线分散于有机溶剂中；

步骤3，银纳米线透明导电薄膜的制备：取经过表面处理的柔性基底，将柔性基底置于旋涂仪托盘上，将银纳米线墨水滴注在基底上，通过布胶、匀胶和固化，得到初始的银纳米线透明导电薄膜；然后通过机械剥离的方式，对银纳米线透明导电薄膜表面进行拉扯剥离，得到导电性增强的银纳米线导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述聚合物单体为甲基三甲氧基硅烷、乙基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷和KH560；其摩尔比为4~16：0~7：0~8：0~8。

3.根 据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述磁力搅拌的转速为200-800rpm；水解反应的温度为40-80 ℃，水解反应的时间为30-120min；所述缩聚反应的温度为60-90℃，时间为30-120 min。

4.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述有机溶剂为乙醇、异丙醇、甲苯及二甲苯中的一种或多种混合。

5.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2中，有机硅树脂低聚物在银纳米线墨水中质量百分比浓度为0.1%-2.0%。

6.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述柔性基底为聚酰亚胺薄膜、聚氨酯薄膜、聚酯薄膜或聚氯乙烯薄膜。

7.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述表面处理为将柔性基材沉浸在乙醇/丙酮溶液中超声20min，超声振动频率为40kHz。

8.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述布胶的旋涂速率为200-1000rpm，布胶时间为5-15s；所述匀胶的旋涂速率为1000-3000 rpm，匀胶时间为10-60s。

9.根据权利要求1所述的银纳米线导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述固化的温度为80-140℃，固化时间为30min-120min；所述机械剥离采用胶带剥离的方式，采用垂直基底90°方向进行剥离。

10.根据权利要求1-9任一项所述的方法制备得到的银纳米线导电薄膜。