[发明专利]光电转换装置和设备

说明书

本公开涉及光电转换装置和设备。硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜布置在主面上方，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中，并且金属化合物膜延伸到第二沟槽中。当从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为“Hb”并且从主面到硅化合物膜的距离表达为“Hd”时，各个距离满足条件“HdHb”。

技术领域

本公开涉及布置在光电转换部分之间的隔离部分。

背景技术

美国专利申请公开No.2018/0219040讨论了一种图像传感器，该图像传感器具有布置在沟槽(140、1140)内的固定电荷膜(160、1160)和抗反射膜(170、1170)，所述沟槽(140、1140)设置在靠近感测区域的中心的部分上。

在美国专利申请公开No.2018/0219040中描述的技术中，存在由于沟槽(140、1140)导致光损失而因此不能充分获得灵敏度的情况。

发明内容

本公开涉及具有改善的灵敏度的光电转换装置。根据本公开的一个方面，一种光电转换装置包括半导体层，该半导体层包括多个光电转换部分和形成多个光电转换部分的各个光接收面的主面。多个光电转换部分包括第一光电转换部分、第二光电转换部分和第三光电转换部分。半导体层具有定位在第一光电转换部分和第二光电转换部分之间的第一沟槽、定位在第二光电转换部分和第三光电转换部分之间的第二沟槽。第一沟槽和第二沟槽均在主面上连续延伸。在主面上方设置硅化合物膜以及位于硅化合物膜和半导体层之间的金属化合物膜，该硅化合物膜是氧化硅膜、氮化硅膜和碳化硅膜中的任何一种。硅化合物膜和金属化合物膜延伸到第一沟槽中。金属化合物膜延伸到第二沟槽中。满足以下条件：

HdHb；和

Wa-2×HdWb，

其中，从第二沟槽的底部到硅化合物膜的距离表达为Hb，从主面到硅化合物膜的距离表达为Hd，第一沟槽的宽度表达为Wa，并且第二沟槽的宽度表达为Wb。

从以下示例性实施例的描述(参考附图)，本公开的其它特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出光电转换装置的示意性截面图。

图2是示出光电转换装置的示意性截面图。

图3是示出光电转换装置的示意性截面图。

图4A至图4G是示出光电转换装置的制造方法的示意性截面图。

图5A至图5D是示出光电转换装置的制造方法的示意性截面图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图来描述体现本公开的示例性实施例。根据本公开，可以提供用于改善光电转换装置的灵敏度的有利技术。在下面描述的示例性实施例或附图中，共同的附图标记应用于多个附图中彼此共同的配置。因此，将交叉参考多个附图来描述共同配置，并且将适当地省略具有共同附图标记的配置的描述。具有类似名称和不同附图标记的配置可以通过适当地添加“第n”(例如，第一配置、第二配置和第三配置)来彼此区分。