[发明专利]声表面波器件用复合基板及其制造方法

说明书

本发明提供一种不易在电材料层的外周端产生瑕疵，并且不易产生从外周端的剥离的声表面波器件用的复合基板及其制造方法。声表面波器件用复合基板是压电材料单晶薄膜和支承基板在接合面处接合在一起的复合基板，其特征在于，支承基板具备闭合的第一轮廓线，接合面具备闭合的第二轮廓线，压电材料单晶薄膜具备闭合的第三轮廓线，在将第一轮廓线及第三轮廓线垂直地投影到包含接合面的平面时，第一轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠外侧，第三轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠内侧。

技术领域

本发明涉及接合压电单晶基板和支承基板所得的声表面波器件用复合基板及其制造方法。

背景技术

如今，在移动电话、智能手机等移动体通信中，在通过增加通信频带数来增大通信容量时，要求高性能的声表面波(Surface Acoustic Wave：SAW)器件。

作为SAW器件的材料，广泛使用作为压电材料的钽酸锂(Lithium Tantalate：LT)、铌酸锂(Lithium Niobate：LN)。这些材料具有大的机电耦合系数，从而具有能够实现器件的宽频带化的优点，另一方面，存在温度稳定性低，能对应的频率会因温度变化发生偏移的问题。

为了解决该问题，存在将LT、LN等压电材料贴合于热膨胀系数小的支承基板，形成将压电材料侧减薄至数μm～数10μm的复合基板的技术(例如，参照非专利文献1)。

另外，存在如下技术：在对用有机粘接剂贴合压电材料和支承基板所得的复合基板的压电材料层进行减薄时，在比外周缘靠内侧的位置沿着外周以遍及整周的方式形成槽，从而抑制减薄时的裂纹的产生(例如，参照专利文献1)。

另一方面，存在不使用有机粘接剂来接合压电材料和支承基板而形成复合基板的技术。在这样的复合基板中，存在有在压电材料或支承基板设置凹凸结构，改善SAW器件的寄生特性，通过经由无机居间层接合压电材料和支承基板，由此实现器件制作的后工序中的耐热性提高、逸气抑制等可靠性提高的技术(例如，参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-135535号公报

专利文献2：日本特开2018-61226号公报

非专利文献

【非专利文献1】用于智能手机RF前端的SAW-Duplexer的温度补偿技术，电波新闻高科技2012年11月8日

发明内容

发明所要解决的问题

在这样的复合基板中，存在有在减薄压电材料层的研磨工序中产生的瑕疵(Chip；缺损)残留在外周端，或者压电材料薄膜因用于进行器件化的后工序的加热而从外周端剥离的情况。特别是在将压电材料与支承基板直接接合或经由无机居间层进行接合的情况下，还存在有在压电材料产生的瑕疵到接合面仍不停留而到达居间层或支承基板的情况，从而容易以该部分为起点发生剥离。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种在压电材料层的外周端不易产生瑕疵，并且不易产生从外周端的剥离的复合基板及其制造方法。

用于解决问题的手段

本申请的发明人已经开发出了至少部分地克服上述问题的复合基板及其制造方法。

本发明的声表面波器件用复合基板是压电材料单晶薄膜和支承基板在接合面处接合在一起的复合基板，其特征在于，支承基板具备闭合的第一轮廓线，接合面具备闭合的第二轮廓线，压电材料单晶薄膜具备闭合的第三轮廓线，在将第一轮廓线及第三轮廓线垂直地投影到包含接合面的平面时，第一轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠外侧，第三轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠内侧。