[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底的端部形成有N层台阶，一层所述台阶的水平面与相邻层所述台阶的竖直面相连形成角落；

在所述基底的顶表面上形成阻挡层；

形成覆盖所述角落的保护层，所述保护层具有覆盖所述竖直面的侧部和沿远离所述竖直面的方向延伸的延伸部，所述延伸部覆盖部分所述水平面；

以所述阻挡层和所述保护层为掩膜对所述基底进行刻蚀，以形成新的台阶；

去除所述延伸部后，继续沿着所述阻挡层和所述保护层对所述基底进行刻蚀，以再次形成新的台阶。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层为L型。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：

形成覆盖所述基底和阻挡层的第一保护材料层，所述第一保护材料层与所述台阶共形；

形成覆盖所述第一保护材料层的第二保护材料层，所述第二保护材料层与第一保护材料层共形；

去除部分所述第二保护材料层，以形成侧墙；

以所述侧墙为掩膜对所述第一保护材料层进行刻蚀，以形成所述保护层；

去除所述侧墙。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一保护材料层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆或者氧化钛中的至少一种，所述第二保护材料层的材料为无定型碳或多晶硅。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括若干堆叠对，所述堆叠对包括绝缘层和位于所述绝缘层上的牺牲层，所述若干堆叠对的端部形成有所述N层台阶；

形成所述阻挡层之前，至少一个所述堆叠对形成顶层的所述台阶，两个以上的所述堆叠对形成其他层的所述台阶。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，仅一个所述堆叠对形成顶层的所述台阶。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化铝、氧化铪、氧化锆或者氧化钛中的至少一种，所述牺牲层的材料为氮化硅、无定型硅或多晶硅。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

去除所述保护层和阻挡层；

去除所述牺牲层后，在所述牺牲层所在的位置形成金属栅；

形成覆盖所述台阶和所述基底顶表面的介质层；

在所述介质层内形成若干导电插塞，若干所述导电插塞分别与所述金属栅的端部电连接。