[发明专利]一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用

权利要求书

1.一种铯铅卤素钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将铯铅卤素钙钛矿材料放置具有凹槽的石英片上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态，这些液态钙钛矿材料将完全填充所述石英片的凹槽；

(2)保持温度维持在铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，将基底覆盖在液态的钙钛矿材料上，使液态钙钛矿材料在被基底和石英片包围形成的凹槽空间内均匀分散；

(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片取下，利用石英片与铯铅卤素钙钛矿之间的惰性，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜，该钙钛矿厚膜即为厚度不低于1μm的铯铅卤素钙钛矿厚膜。

2.如权利要求1所述铯铅卤素钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述铯铅卤素钙钛矿为铯铅碘CsPbI₃、铯铅溴CsPbBr₃、铯铅氯CsPbCl₃、或铯铅碘溴CsPbI_xBr_(3-x)；所述铯铅碘溴CsPbI_xBr_(3-x)中，0x3。

3.如权利要求1所述铯铅卤素钙钛矿厚膜的制备方法，其特征在于，所述基底为FTO透明导电玻璃基底、或氮化硼基底。