[发明专利]一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件

权利要求书

1.一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，包括：漏极(1)、N+衬底(2)、N-外延层(3)、P阱(4)、第一N+区(5)、N+源区(6)、P+接触区(7)、栅氧化层(8)、栅极(9)、肖特基接触(10)、源极(11)、SiO₂层间介质(12)和JFET区(13)；

漏极(1)、N+衬底(2)和N-外延层(3)由下至上依次层叠设置；

JFET区(13)位于N-外延层(3)的上层；

P阱(4)位于N-外延层(3)的上层且位于JFET区(13)的两侧，第一N+区(5)位于JFET区(13)与P阱(4)的交界处，且位于JFET区(13)与P阱(4)的上层；N+源区(6)和P+接触区(7)并排位于P阱(4)的上层，且间隔的位于第一N+区(5)的一侧；

栅氧化层(8)位于靠近第一N+区(5)的部分N+源区(6)和第一N+区(5)上；

栅极(9)位于栅氧化层(8)上；

SiO₂层间介质(12)位于栅氧化层(8)和栅极(9)上；

肖特基接触(10)位于JFET区(13)上表面，；

源极(11)位于P+接触区(7)和远离第一N+区(5)的部分N+源区(6)、SiO₂层间介质(12)和肖特基接触(10)上。

2.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述第一N+区(5)由N离子注入，结深为0.2μm～0.3μm，掺杂浓度为1e17cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述肖特基接触(10)由金属Ni淀积形成肖特基接触，肖特基接触(10)的宽度为2um。

4.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述漏极(1)采用金属Ni溅射形成欧姆接触。

5.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述第一N+区(5)的长度为2um，其远离N+源区(6)的一侧到JFET区(13)中心点的距离为2um。

6.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述第一N+区(5)远离N+源区(6)的一侧到肖特基接触(10)靠近第一N+区(5)的一侧的距离为1um。

7.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述第一N+区(5)与栅极(9)交叠的区域长度为0.5um。

8.根据权利要求1所述的一种分裂栅4H-SiC VDMOS器件，其特征在于，所述第一N+区(5)与P阱(4)交叠的区域长度为1.5um。