[发明专利]一种3D NAND存储器的读取方法及装置

权利要求书

1.一种3D NAND存储器的读取方法，其特征在于，所述存储器包括存储单元串组成的存储阵列，每个存储单元串连接至一条位线，存储阵列中的位线分成多个组，所述读取方法包括：

在时钟信号触发之前将各组中参考位线预充至预设电压，参考位线为组中的一条位线；

进行地址译码，以获得目标位线和目标字线；

当目标位线与参考位线不同时，将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态，其中，所述预设电压为所述目标位线与所述参考位线连接之后，使得所述目标位线处于可读取电压的状态的任意电压；

在使能目标字线后，获取目标位线上的感应电流。

2.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，将目标位线与参考位线连接，包括：

将目标位线与参考位线短接。

3.根据权利要求2所述的读取方法，其特征在于，每个组中的位线由本地多路选择器控制；所述将目标位线与参考位线短接，包括：

当目标位线与参考位线不同时，通过控制本地多路选择器同时选中目标位线和参考位线，以使得目标位线与参考位线短接。

4.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，在每次时钟周期的时钟信号触发之前，预充参考位线为组中的同一条位线。

5.根据权利要求1中所述的读取方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储体。

6.一种3D NAND存储器的读取装置，其特征在于，所述存储器包括存储单元串组成的存储阵列，每个存储单元串连接至一条位线，存储阵列中的位线分成多个组，所述读取装置包括：

预充电路，用于在时钟信号触发之前将各组中参考位线预充至预设电压，参考位线为组中的一条位线；

译码电路，用于进行地址译码，以获得目标位线和目标字线；

位线使能电路，用于当目标位线与参考位线不同时，通过将目标位线与参考位线连接，使得目标位线处于可读取电压的状态，其中，所述预设电压为所述目标位线与所述参考位线连接之后，使得所述目标位线处于可读取电压的状态的任意电压；

电流感测电路，用于在字线使能之后，获取目标位线上的感应电流。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述位线使能电路中，通过将目标位线与目标位线连接，包括：

将目标位线与参考位线短接。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，每个组中的位线由本地多路选择器控制；位线使能电路为本地多路选择器，还包括：控制电路，用于当目标位线与参考位线不同时，通过本地多路选择器同时选中目标位线和参考位线，以使得目标位线与参考位线短接。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述预充电路连接至本地多路选择器，所述控制电路还用于通过选中参考位线，使得预充电路在时钟信号触发之前将各组中参考位线预充至预设电压。

10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述存储器包括多个存储体。