[发明专利]一种三相四开关并网逆变器拓扑结构及其共模电压计算方法

权利要求书

1.一种三相四开关并网逆变器拓扑结构，其特征在于，包括直流电源、直流侧两个串联的储能电容、分布电容、全桥逆变桥、2个电感；

所述的直流电源正极连接直流侧上边储能电容C₁的正极、全桥逆变桥IGBT集电极或者MOSFET漏极；直流电源负极连接直流侧下边储能电容C₂的负极、全桥逆变桥IGBT发射极或者MOSFET源极，C_p为光伏板对地分布电容；全桥逆变桥的输出端接入电感L后接三相电中性点，两个串联的储能电容中点引出i_a接三相电中性点，三相电中性点接地。

2.根据权利要求1所述的三相四开关并网逆变器拓扑结构，其特征在于，所述的全桥逆变桥的全部开关器件均为IGBT或MOSFET。

3.根据权利要求2所述的三相四开关并网逆变器拓扑结构，其特征在于，所述的逆变回路单元包括IGBT/S_b和IGBT/S_c，其中IGBT/S_b包括串联的IGBT/S_b1和IGBT/S_b2，其中IGBT/S_c包括串联的IGBT/S_c1和IGBT/S_c2；IGBT/S_b1的集电极与电容C₁的一端、直流电源的正极电连接，IGBT/S_b2的发射极与电容C₂一端、直流电源的负极电连接；IGBT/S_c1的集电极与电容C₁的一端、直流电源的正极电连接，IGBT/S_c2的发射极与电容C₂一端、直流电源的负极电连接；四个IGBT的基极与电源驱动进行电连接，所述的电感的输入端分别在连接IGBT/S_b1与IGBT/S_b2之间、IGBT/S_c1与IGBT/S_c2之间。

4.一种三相四开关并网逆变器拓扑结构共模电压计算方法，应用于权利要求3所述的拓扑结构，其特征在于，包括以下步骤：

S1.对三相四开关并网逆变器拓扑结构进行简化；

S2.对S1所得的简化模型进行等效；

S3.计算逆变器的共模电压。

5.根据权利要求4所述的三相四开关并网逆变器拓扑结构共模电压计算方法，其特征在于，在步骤S1所得的简化模型中：

所述的V_BO为B桥臂中点(B)对电容桥臂中点(O)之间电压，V_CO为C桥臂中点(C)对电容桥臂中点(O)之间电压，u_dc为电容C₁和电容C₂两端电压之和，u_dc1为电容C₁上的电压，u_dc2为电容C₂上的电压。

6.根据权利要求4所述的三相四开关并网逆变器拓扑结构共模电压计算方法，其特征在于，根据步骤S2所得的等效模型计算逆变器的共模电压：

V_P＝e_a-u_dc2；

其中V_P为拓扑模型的共模电压、u_dc2为等效模型中电容C₂的电压、e_a为a相交流电。