[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910849317.5 申请日: 2019-09-09
公开(公告)号: CN110912381A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 椿谷贵史;酒井伸次 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具备:

多个半导体开关元件,它们构成多相转换器,分别与各相对应;

多个寄生电感,它们分别与所述多个半导体开关元件连接;以及

驱动电路,其分别与多个连接点连接,该多个连接点分别将所述多个半导体开关元件和所述多个寄生电感连接,该驱动电路对所述多个半导体开关元件进行驱动,

所述驱动电路使所述多个半导体开关元件的所述多个连接点处的基准电位相互绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述驱动电路包含使所述多个半导体开关元件的所述基准电位相互绝缘的pn结。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述驱动电路包含使所述多个半导体开关元件的所述基准电位相互绝缘的多个微变压器。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其中,

还具备封装体,该封装体覆盖所述多个半导体开关元件。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置,其中,

所述多个半导体开关元件包含宽带隙半导体。

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